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마이크로웨이브용전력FET의열방출방법

  • 기술번호 : KST2015073958
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 채널층 식각을 통한 마이크로웨이브용 전력FET의 열방출방법에 관한 것으로서, 종래의 사용도중 채널에서 열방출이 효과적이지 못한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 기간(33)을 연마한 후 감광막(22)을 형성 및 채널층 식각을 위한 비어홀 마스크(11)를 상부에 위치하는 공정(가)과, 상기 비어홀 마스크(11)를 이용하여 식각을 한 후 상기 감광막(22)을 제거하는 공정(나)과, 상기 채널중 아랫부분의 바닥에 소정의 금속(55)을 소정 두께로 증각하는 공정(다)과, 상기 채널층부분만을 금으로 재충진하기 위해 감광막(22)마스크를 형성하는 공정(라)과, 상기 감광막(22)마스크를 제외한 부분에 소정두께로 금(55)을 도금하여 재충진하는 공정 (마)과, 상기 감광막(22)마스크를 제거한 후 전면을 도금하는 공정(마)로 구성 되어 보다 효율적으로 열을 방출시 킬 수 있는 장점이 있다
Int. CL H01L 23/34 (2006.01)
CPC H01L 21/28575(2013.01) H01L 21/28575(2013.01)
출원번호/일자 1019930026305 (1993.12.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0115289-0000 (1997.05.16)
공개번호/일자 10-1995-0021450 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970001888 (19970218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.03)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문재경 대한민국 대전직할시유성구
2 이종람 대한민국 대전직할시유성구
3 맹성재 대한민국 대전직할시유성구
4 권오승 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133264-58
2 특허출원서
Patent Application		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133263-13
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133265-04
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133266-49
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0061515-95
6 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.06 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133267-95
7 등록사정서
Decision to grant		 1997.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0061516-30
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

갈륨비소 기판(33)을 소정의 두께로 연마한 후 그 위에 채널층 식각을 위해서 감광막(22)을 형성 및 채널층 식각용 마스크(11)가 위치하게 하는 공정(a)과, 상기 채널층 식각용 마스크(11)를 이용하여 채널층 아랫부분을 소정의 두께로 식각한 후(44) 상기 채널층 식각용 마스크(11)를 제거하는 공정(b)과, 상기 채널층 아랫부분의 바닥을 티타늄과 베이스 금속(55)을 100Å 및 200Å의 두께로 각각 증착하는 공정(c)과, 상기 증착된(공정(c) 위에 채널층 부분만을 금으로 재충진하기 위한 감광막(22) 마스크를 형성하는 공정(d)과, 상기 감광막(22) 마스크를 제외한 부분에 전기도금으로 재충진된 금(66)을 형성하는 공정(e)과, 상기 감광막(22) 마스크를 제거한 후 칩 절단과정에서 파손되는 것을 방지하기 위하여 전면을 소정 두께로 도금(77)하여 뒷면공정을 끝내는 공정(e)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브용 전력 FET의 열방출방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.