바이폴라 트랜지스터 소자에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 n+매몰층(2)으로 형성되는 에미터와 ; 상기 n+매몰층(2)상에 성장되어진 폴리실리콘층(3)을 베이스로 하고, 상기 폴리실리콘층(3)상에 순차적으로 성장되는 n- 에피택셜층(4)과 완충산화막(5)과 질화막(6) 및 저온증착 산화막(7)과 ; 상기 실리콘 기판(1)상에 성장되어 있는 각 성장층을 식각하여 형성되어진 트랜치면에 도포되어 성장되는 격리산화막(8)과 ; 활성영역이 상기 산화막과 실리콘의 계면이 n+매몰층(2)에 위치하도록 선택적으로 성장되는 필드산화막(9)과 ; N+다결정 실리콘(10)과 실리사이드막(11)과 저온증착 산화막(12) 및 다결정 실리콘층(13)을 순차적으로 성장시킨 후 형성된 각 성장층들(13~14)을 선택적으로 식각하여 형성되어진 N+다결정 실리콘 전극 및 컬렉터와, 상기 컬렉터와 베이스간의 자기정렬된 전기적 절연을 제공하는 측벽산화막(14)을 성장시킨 후 N-실리콘층(4)을 n+매몰층(2)이 노출될 때까지 선택적으로 식각하고 상기 에미터와 베이스간의 자기정렬된 전기적 절연을 제공하기 위해 측벽질화막(15)을 형성한 후 상기 측벽질화막(15)을 선택적으로 식각함으로써 형성되어진 베이스 접점영역(17)과 ; P+다결정 실리콘층(18)과 실리사이드막(19)을 성장시켜 형성되어진 베이스 전극 ; 및 접촉개구에 알루미늄 도포를 수행함으로써 형성되는 금속배선을 포함하여 에미터-베이스 전극 및 베이스-컬렉터 전극이 자기정렬되고 진성 베이스영역이 n+매몰층(2)상에 접합된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 상향구조 바이폴라 트랜지스터

바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 에미터가 되는 n+매몰층(2)을 형성하고 베이스가 되는 폴리실리콘층(3)을 성장시키는 제1공정과 ; 상기 제1공정에서 형성된 폴리실리콘층(3)상에 추후 형성될 컬렉터와 상기 에미터간의 항복전압을 제어하기 위한 n- 에피택셜층(4)을 성장시킨 후 차기 공정들을 위한 완충산화막(5), 질화막(6) 및 저온증착 산화막(7)을 순차로 성장시키는 제2공정과 ; 상기 제1공정과 제2공정을 통하여 성장된 각 성장층을 미세형상 방법에 의하여 트랜치를 정의한 후 상기 실리콘 기판(1)이 노출될 때까지 건식식각 방법에 의해 순차로 식각하여 트랜치를 형성하는 제3공정과 ; 상기 제3공정에서 형성되어진 트랜치면에 산화막을 도포하고 평탄화시켜 트랜치 격리산화막(8)을 성장시키는 제4공정과 ; 활성영역을 정의한 후 산화막과 실리콘의 계면이 n+매몰층(2)에 위치하도록 필드산화막(9)을 선택적으로 성장시키는 제5공정과 ; 상기 제5공정까지 완료되어진 웨이퍼상에 N+다결정 실리콘(10), 실리사이드막(11), 저온증착 산화막(12) 및 다결정 실리콘층(13)을 순차적으로 성장시킨 후 형성된 각 성장층들(13~14)을 선택적으로 식각하여 N+다결정 실리콘 전극과 컬렉터 영역을 형성시키는 제6과정과 ; 상기 컬렉터와 베이스간의 자기정렬된 전기적 절연을 제공하는 측벽산화막(14)을 성장시킨 후 N-실리콘층(4)을 n+매몰층(2)이 노출될 때까지 선택적으로 식각하고 상기 에미터와 베이스간의 자기정렬된 전기적 절연을 제공하기 위해 측벽질화막(15)을 형성한 후 상기 측벽질화막(15)을 선택적으로 식각함으로써 베이스 접점영역(17)을 형성하는 제7공정 ; 및 P+다결정 실리콘층(18)과 실리사이드막(19)을 형성한 후 평탄화 공정과 미세형상 공정에 의하여 베이스 전극을 형성하고 이후 형성되는 접촉개구에 알루미늄 도포공정과, 미세형상 공정 및 열처리 공정을 순차로 수행함으로써 금속배선을 형성하는 제8공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 상향구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법