맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

수신용단일칩광전집적회로의반도체제조방법

  • 기술번호 : KST2015073972
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PIN형 광검출기와 증폭용 트랜지스터를 단일칩으로 집적시키는 수신용 광전집적회로 및 그 제조방법에 관한 것으로, PIN형 광검출기는 InP층(5)과 격자정합을 이루는 도핑되지 않은 흡수층(6)을 갖고, 증폭용 트랜지스터는 채널층(2) 상에 형성된 게이트 전극(9)에 의해 자기정렬된 소오스 전극(11a) 및 드레인 전극(11b)을 갖고, PIN형 광검출기와 증폭용 트랜지스터가 상호간 표면단차없이 수평으로 집적됨으로써, 짧은 게이트 길이를 갖는 트랜지스터의 제작이 용이하고 수율 및 재현성을 향상시킬 수 있으며 광검출기와 트랜지스터의 성능을 동시에 독립적으로 극대화시킬 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC H01L 27/14609(2013.01)
출원번호/일자 1019920024315 (1992.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0112478-0000 (1997.02.26)
공개번호/일자 10-1994-0016861 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019960015270 (19961107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.15)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오광룡 대한민국 대전직할시동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132004-92
2 특허출원서
Patent Application		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132003-46
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132005-37
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132006-83
5 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132007-28
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132008-74
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043790-77
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1996.05.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132009-19
9 의견서
Written Opinion		 1996.06.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132010-66
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.06.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132011-12
11 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043791-12
12 등록사정서
Decision to grant		 1997.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043792-68
13 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.02.24 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132012-57
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

수신용 광전집적회로의 반도체 제조방법에 있어서, 광검출기 영역과 트랜지스터 영역간에 표면단차가 없도록 광검출기의 높이만큼 반절연 기판(1)을 리세스 식각하고, n형 채널층(2), 식각저지층(3), p형InGaAs층(4), 도핑 안된 InP층(5), 도핑안된 흡수층(6) 및, n형 InP층(7)을 순차로 성장시키는 단계와, 상기 광검출기 영역을 제외한 부분의 상기 n형 InP층(7)과 상기 흡수층(6) 및 상기 InP층(5)을 선택적으로식각하는 단계와, 상기 광검출기 및 상기 트랜지스터간의 전기적 분리를 위해 선택적 식각을 하는 단계와 상기 광검출기 및 상기 트랜지스터의 p형 전극(8,9)을 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터 영역의 상기 p형전극(9)을 마스크로 하여 p형 InGaAs층(4')과 p형 1nP층(3')을 선택적으로 게이트를 형성하는 단계와, 상기 광검출기의 전극(10a,10b) 및 상기 트랜지스터의 소오스 전극(11a) 및 드레인 전극(11b)을 형성하는 단계와, 폴리이미드(12)를 도포한 후 2차 배선금속의 접촉을 위하여 상기 폴리이미드(12)를 식각하는 단계와, 배선금속(13)을 증착하여 상기 광검출기와 상기 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수신용 단일칩 광전집적회로의 반도체 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 반절연 기판(1)은, 반절연 InP와 반절연 GaAs중 어느 하나인 것을 특징으로하는 수신용 단일칩 광전집적회로의 반도체 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 n형 채널층(2)은, n형 InGaAs와 n형 GaAs중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수신용 단일칩 광전집적회로의 반도체 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 식각저지층(3)은, p형 InP와 p형 GaAlAs중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수신용 단일칩 광전집적회로의 반도체 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 p형 InGaAs층(4)은, p형 GaAs층으로 대체되는 것을 특징으로 하는 수신용단일칩 광전집적회로의 반도체 제조방법

6 6

제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도핑되지 않은 흡수층(6)은, 도핑되지 않은 InGaAs와 도핑되지 않은 InGaAsP중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수신용 단일칩 광전집적회로의 반도체 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.