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반도체장치의금속배선형성방법

  • 기술번호 : KST2015073973
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 장치의 금속배선을 형성하는 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 절연막과 노광막을 순차로 도포한 후 초벌구이에 의해 노광막을 건조시키고, 노광 및 현상에 의해 노광막의 패턴을 형성한 후 이를 마스크로서 사용하여 절연막에 홈을 형성하고, 금속을 증착하여 금속선을 형성하는 금속배선 형성방법에 있어서, 금속선 두께의 적어도 2배 이상의 두께로 노광막을 도포하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01)
CPC H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01)
출원번호/일자 1019920024316 (1992.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0098414-0000 (1996.04.17)
공개번호/일자 10-1994-0016688 (1994.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019960001177 (19960119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 대전직할시동구
2 양전욱 대한민국 대전직할시대덕구
3 조낙희 대한민국 대전직할시대덕구
4 최성우 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132014-48
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132017-85
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132016-39
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132015-94
5 특허출원서
Patent Application		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132013-03
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132018-20
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043793-14
8 등록사정서
Decision to grant		 1996.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043794-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판(1)상에 절연막(2)과 노광막(3)을 순차로 도포한 후 초벌구이에 의해 상기 노광막(3)을 건조시키고, 노광 및 현상에 의해 상기 노광막(3)의 패턴을 형성한 후 이를 마스크로서 사용하여 상기 절연막(2)에 홈(7)을 형성하고, 금속을 증착하여 금속선(15)을 형성하는 금속배선 형성방법에 있어서, 상기 금속선(15)두께의 적어도 2배 이상의 두께로 상기 노광막(3)을 도포하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 노광막(3)은 회전코팅기의 회전속도를 1000∼2000rpm으로 하여 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 노광막(3)의 초벌구이는 상기 노광막(3)이 녹기 시작하는 유리전이온도 보다 약간 낮은 소정의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 홈(7)을 형성하기 위해 상기 절연막(2)을 식각할 때 상기 노광막(3)과 상기 절연막(2)의 식각선택비가 3:1 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 금속선(15)은 상기 절연막(2)보다 약 20% 정도 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.