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다공성실리콘기판위에갈륨비소를성장하는방법

  • 기술번호 : KST2015073974
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ALE와 UHVCVD을 이용하여 다공성 실리콘기판 위에 갈륨비소의 이종에피택시층을 성장시키는 방법에 관한 것으로 불순물이 함유된 실리콘기판 상에 전기화학적 방법에 의해 다공질층을 형성하는 공정과, ALE와 UHVCVD성장장치에 의해 트리메틸갈륨과 AsH3가스를 원료기체로 사용하여 상기 실리콘기판의 다공질층으로 교대분사하여 에피택시층인 갈륨비소박막을 형성한 것이다.
Int. CL C30B 29/42 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01)
CPC C30B 29/42(2013.01) C30B 29/42(2013.01) C30B 29/42(2013.01)
출원번호/일자 1019920024318 (1992.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0101599-0000 (1996.07.04)
공개번호/일자 10-1994-0014929 (1994.07.19) 문서열기
공고번호/일자 1019960004904 (19960417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.15)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노정래 대한민국 대전직할시대덕구
2 박성주 대한민국 대전직할시중구
3 심재기 대한민국 대전직할시대덕구
4 이일항 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132025-40
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132026-96
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132029-22
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132027-31
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132028-87
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132030-79
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043797-96
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132031-14
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.12.28 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132032-60
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.01.30 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132034-51
11 의견서
Written Opinion		 1996.01.30 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132033-16
12 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043798-31
13 등록사정서
Decision to grant		 1996.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043799-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

불순물이 함유된 실리콘기판(1)상에 의해 다공질층(2)을 형성하는 공정과, ALE와 UHVCVD 성장장치에 의해 트리메틸 갈륨과 AsH3 가스를 원료기체로 사용하여 상기 실리콘기판(1)의 다공질층(2)으로 교대 분사하여 애피텍시층층인 갈륨비소 박막(3)을 형성하는 공정을 포함하는 다공성 실리콘기판위에 갈륨비소를 성장하는 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 갈륨비소 박막(3)의 형성공정은 ALE 성장장치에 의해 상기 다공질층(2)상에 버퍼층을 형성한 다음 UHVCVD 성장장치에 의해 갈륨 비소의 단결정층인 상기 갈륨비소 박막(3)이 형성되게 하는 다공성 실리콘기판위에 갈륨비소를 성장하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.