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다공질실리콘기판의표면안정화방법

  • 기술번호 : KST2015073975
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광실리콘인 다공질 실리콘층에 ALE법을 이용하여 안정화 물질로 갈륨비소 화합물을 증착시켜 열적, 구조적으로 안정화하여 실리콘광소자 구현 및 이종에피탁시를 위한 버퍼(buffer)층 형성을 목적으로 하는 것으로, 고순도 HF 용액내에서 전기화학적 반응을 이용하여 단결정 실리콘 기판위에 다공질층을 형성시키고, 화학반응을 위해 코팅된 Al을 염산(HCl)을 사용하여 세척하고 초고진공 화학증착 장치에 장착한 후, 갈륨비소의 원료기체인 TMGA와 AsH3을 다공질 실리콘 기판에 교대로 분사시켜 다공질층에 갈륨비소를 증착시킴으로써, 발광효율 저하를 막을 수 있고, 양질의 갈륨비소층을 얻을 수 있고, 이종에피탁시에 활용할 수 있으며, 낮은 온도로서 수소 화합물의 결합을 분리시키지 않고 증착할 수 있다.
Int. CL H01L 21/18 (2006.01)
CPC H01L 21/0245(2013.01) H01L 21/0245(2013.01)
출원번호/일자 1019920024319 (1992.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0101602-0000 (1996.07.04)
공개번호/일자 10-1994-0016453 (1994.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019960004590 (19960409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심재기 대한민국 대전직할시대덕구
2 박성주 대한민국 대전직할시중구
3 노정래 대한민국 대전직할시대덕구
4 이일항 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132039-89
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132037-98
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132036-42
4 특허출원서
Patent Application		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132035-07
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132038-33
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132040-25
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043800-46
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132041-71
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132042-16
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132043-62
11 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1995.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043801-92
12 의견서
Written Opinion		 1995.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132044-18
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132045-53
14 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043802-37
15 등록사정서
Decision to grant		 1996.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0043803-83
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

일측면에 양극 전극이 형성된 불순물이 도핑된 실리콘기판(1)의 타측면에 다공질층(2)을 형성하는 공정과, 상기 실리콘기판(1)의 일측면에 형성된 양극 전극을 제거하고 다공질층(2)이 형성된 실리콘기판(1)의 타측면에 원료 기체를 주기적으로 분사시켜 기공 내에 분사 주기당 한층씩의 표면 안정화층을 증착하는 ALE 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘기판의 표면 안정화 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 ALE 공정에서 증착되는 상기 안정화물질은 갈륨 비소화합물이고, 상기 원료기체는 트리메틸갈륨(TMGa)과 아르신(AsH3)인 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘기판의 표면 안정화 방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 ALE 공정은 초고진공 화학증착장치의 시편준비 및 분석실(6)에 상기 다공질층(2)이 형성된 상기 실리콘기판(1)을 장착하고 상기 다공질층(2)에 잔류하는 가스를 배기시키는 단계와, 상기 시편준비 및 분석실(6)의 압력이 소정압력에 도달하면 성장실(7)내의 시편홀드(10)로, 상기 실리콘기판(1)을 옮기고 400∼500℃의 온도에서 상기 트리메틸갈륨과 상기 아르신을 교대로 분사한 후 배기하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘기판의 표면 안정화 방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 트리메틸갈륨 및 상기 아르신을 상기 성장실(7)내로 분사할때의 성장실(7)의 압력은 7×10-5Torr로 유지하고, 상기 성장실(7) 내로부터 배기할때의 압력은 분사압력의 1/10 이하로 유지되게 하는 것을 특징으로 하는 다공질실리콘기판의 표면 안정화 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.