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애벌런치포토다이오드의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073978
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SAGM(Seperate Absorption Grading and Multiplication) 구조의 애벌런치 포토다이오드를 제조하는 방법에 관한 것으로, 에피택셜층의 성장시 챠지쉬트층의 두께를 정확하게 조절한 후 식각공정시 InP이 InGaAs에 대해 선택적으로 식각된다는 특성을 활용하여 챠지쉬트층을 모두 식각함으로써, 식각이 용이해지고 공정의 재현성이 높아진다. 특히, 에피택셜층의 성장시 챠지쉬트층의 두께를 정확히 조절할 수 있다는 장점이 있으므로, 소자의 제작공정 및 재현성과 제어성이 크게 향상된다는 장점을 갖는다.
Int. CL H01L 31/107 (2006.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1019930012201 (1993.06.30)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0098666-0000 (1996.04.24)
공개번호/일자 10-1995-0002086 (1995.01.04) 문서열기
공고번호/일자 1019960001191 (19960119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.06.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유지범 대한민국 대전직할시유성구
2 박찬용 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.06.30 수리 (Accepted) 1-1-1993-0065276-77
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.06.30 수리 (Accepted) 1-1-1993-0065277-12
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.06.30 수리 (Accepted) 1-1-1993-0065279-14
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.06.30 수리 (Accepted) 1-1-1993-0065280-50
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.06.30 수리 (Accepted) 1-1-1993-0065278-68
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0065281-06
7 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0065282-41
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0022682-42
9 등록사정서
Decision to grant		 1996.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0022684-33
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

SAGCM구조의 애벌런치 포토다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 기판(1) 위에 버퍼층(2), 흡수층(3), 제1형의 그레이딩층(4)을 순차로 형성하는 공정과, 상기 그레이딩층(4)의 일부를 도핑하여 제2형의 그레이딩층(4a)을 형성하는 공정과, 상기 그레이딩층(4a) 위에 소정의 두께로 챠지쉬트층(5)을 성장시키는 공정과, 상기 챠지쉬트층(5) 이에 식각보호층(6)을 증착하고 습식 식각법에 의해 상기 챠지쉬트층(5)을 선택적으로 식각하여 소정의 패턴을 형성하는 공정과, 식각된 상기 챠지쉬트층(5a)과 표면이 드러난 상기 그에이딩층(4a) 위에 증폭층(7)을 성장한 후 확산법을 이용하여 p+n접합을 형성하여 공정을 포함하는 것이 특징인 애벌런치 포토다이오드의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 선택적식각공정에 의해 상기 챠지쉬트층(5)은 메사형태, V자 홈형태 중 어느 하나의 형태로 식각되는 것이 특징인 애벌런치 포토다이오드의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.