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프로그램가능한안티-퓨즈소자및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015073979
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체장치의 기술에 관한 것으로서, 구체적으로는 전기적으로 프로그램가능한 안티-퓨즈 소자(electrically antifuse elements) 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 기능소자가 형성된 반도체기판(1)상에 층간막을 사이에 두고 이층구조의 전극을 형성하는 전기적으로 프로그램가능한 안티-퓨즈 소자에 있어서, 상기 반도체기판(1)상에 형서오딘 필드산화막(2)과, 상기 필드산화막(2)상에 소정패턴으로 형성된 제 1 전극(3)과, 상기 제 1 전극(3)의 양단의 상부를 걸치면서 상기 필드산화막(2)상에 형성된 제 1 절연막(4)과, 상기 제 1 절연막(4) 사이에서 상기 제 1 전극(3)의 노출된 표면상에 형성되어 상기 층간막으로 사용된 제 2 절연막(5)과, 상기 제 2 절연막(5)상에 제 2 전극(6)을 포함하는 것이다.
Int. CL H01L 29/86 (2006.01)
CPC H01L 23/5252(2013.01) H01L 23/5252(2013.01) H01L 23/5252(2013.01) H01L 23/5252(2013.01) H01L 23/5252(2013.01)
출원번호/일자 1019930014240 (1993.07.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0112506-0000 (1997.02.26)
공개번호/일자 10-1995-0004608 (1995.02.18) 문서열기
공고번호/일자 1019960015326 (19961107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.07.26)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강상원 대한민국 대전직할시중구
2 백종태 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1993-0075900-49
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1993-0075901-95
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1993-0075898-34
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1993-0075899-80
5 특허출원서
Patent Application		 1993.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1993-0075897-99
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.01 수리 (Accepted) 1-1-1993-0075902-30
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0027806-89
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0027807-24
9 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.02.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0075903-86
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기능소자가 형성된 반도체기판(1)상에 층간막을 사이에 두고 이층구조의 전극을 형성하는 전기적으로 프로그램가능한 안티-퓨즈 소자에 있어서, 상기 반도체기판(1)상에 형성된 필드산화막(2)과, 상기 필드산화막(2)상에 소정패턴으로 형성된 제 1 전극(3)과, 상기 제 1 전극(3)의 양단의 상부를 걸치면서 상기 필드산화막(2)상에 형성된 제 1 절연막(4)과, 상기 제 1 절연막(4) 사이에서 상기 제 1 전극(3)의 노출된 표면상에 형성되어 상기 층간막으로 사용된 제 2 절연막(5)과, 상기 제 2 절연막(5)상에 제 2 전극(6)을 포함하는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극(6)은 적어도 2개의 전극으로 이루어지되 각 전극은 상기 제 1 절연막(4)에 의해 전기적으로 서로 격리되어 있는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전극(6)은 알루미늄계의 금속인 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 절연막(4)은 저온산화막인 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극(3)은 고농도의 불순물이 주입된 다결정실리콘막인 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 불순물은 P+형의 불순물이온인 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 절연막(5)은 SiO2, Si3N4, 규소질화질화막등의 절연물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 절연막(5)은 비정질실리콘등의 유전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자

9 9

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 절연막(5)은 절연물질과 유전물질이 혼합된 층간막인 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자

10 10

기능소자가 형성된 반도체기판(1)상에 층간막을 사이에 두고 이층구조의 전극을 형성하는 전기적으로 프로그램가능한 안티-퓨즈 소자의 제조방법에 있어서, 상기 반도체기판(1)상에 필드산화막(2)을 형성하는 공정과, 상기 필드산화막(2)상에 소정패턴의 제 1 전극(3)을 형성하는 공정과, 상기 제 1 전극(3)을 포함하여 상기 필드산화막(2)상에 제 1 절연막(4)을 피복하는 공정과, 상기 제 1 절연막(4)을 식각하여 상기 제 1 전극(3)의 일부표면이 노출되게 하는 공정과, 상기 노출된 표면상에 상기 층간막으로서의 제 2 절연막(5)을 형성하는 공정과, 상기 제 2 절연막(5)상에 제 2 전극(6)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

11 11

제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전극(3)을 형성하는 공정은, 실제로 상기 필드산화막(2)상에 다결정실리콘막을 피복하는 공정과, 이 다결정실리콘막으로 P+형의 불순물이온을 도핑하는 공정과, 이어 상기의 하층 전극을 형성하도록 사진식각방법을 사용하여 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

12 12

제 10 항에 있어서, 상기 제 2 전극(6)을 형성하는 공정은, 실제로 상기 제 2 절연막(5)은 물론 상기 제 1 절연막(4)의 표면상에 알루미늄금속막을 코팅하는 공정과, 상기와 같은 사진식각방법으로 상기 알루미늄금속막을 소정패턴으로 식각하여 상기 제 2 절연막(5)상에 제 2 전극(6)이 형성되는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

13 13

제 10 항에 있어서, 상기 제 2 전극(6)은 적어도 2개의 전극으로 이루어지되 각 전극은 상기 제 1 절연막(4)에 의해 전기적으로 서로 격리되어 있는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

14 14

제 10 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 전극(6)은 알루미늄계의 금속인 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

15 15

제 10 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 절연막(4)은 저온산화막인 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

16 16

제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전극(3)은 고농도의 불순물이 주입된 다결정실리콘막인 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

17 17

제 16 항에 있어서, 상기 불순물은 P++형의 불순물이온인 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

18 18

제 10 항에 있어서, 상기 제 2 절연막(5)은 SiO2, Si3N4, 규소질화질화막등의 절연물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

19 19

제 10 항에 있어서, 상기 제 2 절연막(5)은 비정질실리콘등의 유전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 안티퓨즈소자의 제조방법

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1 JP2828597 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7058209 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH0758209 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5789796 US 미국 DOCDBFAMILY
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