웨이퍼 기판(1) 위에 순서적으로 실리콘 산화막(2), 다결정 실리콘막(3)을 형상한 위에 형상반전용 레지스트(4)를 1회의 도포 및 연화열처리하는 공정(a)과; 고해상도를 요구하지 않는 형상을 형성하기 위해 광스텝퍼를 이용한 광(6)에 의해 상기 레지스트(4)를 정렬 및 노광(b)한 후, 연속적으로 고해상도를 요구하는 형상을 형성하기 위해 e-빔(6')을 이용하여 노광되지 않은 부분의 레지스트(4)를 정렬 및 노광하는 공정(c)과; 상기 광(6) 또는 e-빔(6')에 의해 노광된 레지스트(5)를 열판의 열(7)에 의해 열처리(d)한 후, 이 결과물의 전면에 전면광(8)을 조사하는 공정(e)과; 1회의 현상액을 이용한 현상에 의해 상기 광(6) 또는 e-빔(6')에 의해 노광된 레지스트 부분만 남기는 공정(f)과; 남겨진 레지스트를 경화열처리한 후 건식식각에 의해 다결정 실리콘막(3)을 식각하고(g), 상기 레지스트(4)를 제거(h)한 후, 남은 다결정 실리콘막(3)을 마스크로 하여 실리콘 산화막(2)을 건식식각하는 공정(i)을 수행하여, 음성형태의 형상을 형성하는 것을 특징으로 하는 광스텝퍼와 e-빔 사진전사 혼합 공정방법

웨이퍼 기판(1) 위에 순간적으로 실리콘 산화막(2), 다결정 실리콘막(3)을 형성한 위에 형상반전용 레지스트(4) 1회의 도포 및 연화열처리하는 공정(a)과; 고해상도를 요구하지 않는 형상을 형성하기 위해 광스텝퍼를 이용한 광(6)에 의해 상기 레지스트(4)를 정렬 및 노광(b)한 후, 연속적으로 고해상도를 요구하는 형상을 형성하기 위해 e-빔(6')을 이용하여 노광되지 않은 부분의 레지스트(4)를 정렬 및 노광하는 공정(c)과; 1회의 현상액에 의해 상기 각각 노광된 레지스트(5)를 현상한 후 경화열처리하는 공정(d)과; 노출된 다결정 실리콘막(3)을 건식식각을 이용하여 식각한 후, 상기 레지스트(5)를 제거하고, 상기 다결정 실리콘막(3)을 마스크로 하여 실리콘 산화막(2)을 건식식각하는 공정들(e, f, g)을 수행하여, 양성형태의 형상을 형성하는 것을 특징으로 하는 광스텝퍼와 e-빔 사진전사 혼합 공정방법