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컬렉터용 규소박막층(41)과 (42)를 형성한 후, 그 위에 활성영역과 비활성영역을 격리시키기 위해서 국부적으로 절연막(43)을 형성하고, 컬렉터를 금속접촉시키기 위한 연결부분(44)을 불순물 주입에 의해서 형성하고, 이 위에 베이스 박막(45), 베이스전극용 박막(46)을 형성하는 공정(a)과, 상기 베이스 전극용 박막(46)을 식각하고 그 위에 절연막(47)을 도포한 다음, 상기 절연막(43)의 소정부분으로부터 우측에 형성되어 있는 상기 베이스 박막(45), 베이스 전극용 박막(46), 절연막(47)을 순서적으로 식각하는 공정(b)과, 상기 베이스 전극용 박막(46)인 베이스 전극부분을 격리시키기 위해서 측면절연막(48)을 도포한 후 비등방성 식각으로 상기 측면절연막(48)을 형성하는 공정(c)과, 상기 절연막(47)을 식각하여 에미터 영역을 정의한 다음, 에미터 박막(49)을 형성하고, 상기 컬렉터를 금속 접촉시키기 위한 연결부분(44)위에 상기 에미터 박막(49)을 형성하여 불순물 이온을 에미터 박막에 주입한 후 식각하는 공정(d)과, 상기 (d) 공정에 소자를 보호하기 위해 절연막(50)을 도포하고, 금속접촉영역을 정의하기 위해서 상기 절연막(47,50)을 식각하는 공정(e)과, 상기 공정(e)에서의 금속접촉영역에 금속(51)을 증착하고 마스크로 하여 배선을 정의해서 금속(51)을 식각하는 공정(f)이 포함되는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(a)에서 베이스박막(45)으로 규소저매늄 단일층이나 규소와 규소저매늄으로 된 다층구조박막을 사용하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(d)에서 에미터를 형성하기 위해서 단결정 반도체 박막(52)과 다결정 반도체 박막(53)을 부가하는 공정(h)을 포함하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 에미터를 형성하기 위해서 분자선 에피택시(MBE), 화학선 에피택시(CBE), 화학기상증착(CVD)등의 결정박막성장법을 이용하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(a∼b)같이 베이스 전극용 박막(46)을 소자의 활성영역상에 형성한 후 식각하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(a∼d)과 같이 베이스 전극용 박막(46)과 에미터 박막(49)을 격리시키는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(c)에 측면절연막(48)을 형성하지 않는 대신 공정(g)을 사용하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있이서 상기 공정(c)의 절연막(47) 대신에 산화규소막/질화막/다결정 규소박막을 순서적으로 형성하고 식각하여 에미터 영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(c)의 절연막(47) 대신에 산화규소막/질화막/다결정 규소박막을 순서적으로 형성하고 식각하여 에미터 영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(d)의 에미터박막(49)은 사용하고 컬렉터(44)상의 에미터박막(49)을 사용하지 않는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(d)의 에미터박막(49)에 불순물을 에미터박막(49)도포와 동시에 주입하거나, 도포후 주입하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(d)의 에미터박막(49)을 도포하지 않고 이온 주입으로 에미터를 형성한 후 금속(51)과 접촉시키는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(d)의 에미터박막(49)을 도포하기 전에 이온 주입으로 에미터를 형성한 후 에미터박막(49)를 도포하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(a)의 베이스전극용 박막(46)을 금속성 실리사이드 대신에 단결정이나 다결정규소박막으로 된 단일층구조나 혹은 단결정규소박막과 다결정규소박막의 다층구조를 사용하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 공정(a)의 베이스전극용 박막(46)을 금속실리사이드단일층 구조 대신 다층구조를 사용하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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