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컬렉터용 규소박막층(N+Si)(50)위에 규소박막층(N-Si)(51)을 형성한 후, 국부적으로 절연막(53)을 형성하여 활성영역과 비활성영역을 격리시키고, 컬렉터를 금속접촉시키기 위한 연결 부분(54)을 불순물 이온주입으로 형성한 다음, 반도체 박막(55)을 형성하고, 그 위에 베이스 전극용 박막(56)을 형성하고서 그 위에 절연막(57,58)을 증착하는 공정(a)과, 상기 절연막(57,58)을 식각하고, 금속상 베이스전극용 박막(56)을 식각하며, 상기 노출된 반도체 박막(55)을 국부열산화시켜 산화막(59)을 형성하는 공정(b,c,d)과, 상기 절연막(57,58), 산화막(59)을 식각으로 제거한 후, 베이스 박막(60))을 성정하고, 그 위에 절연막(61)을 증착하는 공정(e)과, 상기 공정(e) 후에 상기 절연막(53) 상부의 중앙으로부터 우측 부분의 반도체 박막(55), 베이스 전극용 박막(56), 베이스 박막(60), 절연막(61)을 식각한 후 베이스 전극부분을 격리시키기 위해서 비등방성 식각으로 측면절연막(62)을 도포하는 공정(f)과, 상기 절연막(61)을 에미터 영역을 정의하기 위해서 식각하고 에미터 박막(63)을 성장하고 불순물 이온을 에미터 박막(63)에 주입한 후 식각하는 공정(g)과, 상기 공정(g)결과물 위에 소자를 보호하는 절연막(64)을 도포하고(공정 h), 금속접촉 영역을 정의하기 위해서 상기 절연막(61,64)을 식각한 후에 금속(65)을 증착하여 마스크로 하여 배선을 정의해서 금속(65)을 식각하는 공정(i)을 포함하는 동종접합 및 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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