컬렉터용 규소기판(1)에 활성영역과 비활성영역을 격리시키기 위하여 국부적으로 절연막(2)을 형성하고, 그 위에 베이스 단결정 박막(4)을 형성하는 공정(a)과, 상기 베이스 단결정 박막(4)위에 실리사이드 박막(4)을 도포하고, 그 위에 에미터-베이스 영역을 형성하기 위해서 감광막(5)을 형성하는 공정(b)과, 노출된 상기 실리사이드 박막(4)을 습식식각하는 공정(c)과, 상기 공정(c)후에 상기 감광막(5)을 제거하는 공정(d)과, 상기 감광막(5)이 제거된 상기 실리사이드 박막(4)위에 절연막(6)을 도포하고, 감광막(5)을 이용하여 에미터-베이스를 정의한 후, 상기 절연막(6)을 식각하고 실리사이드 박막(4)을 습식식각하여 베이스전극을 형성하는 공정(e)을 포함하는 실리사이드를 이용한 쌍극자 트랜지스터의 제조방법