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박막형광게이트를이용한트랜지스터구조

  • 기술번호 : KST2015073988
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공 또는 대기등의 기체에서 인접한 두개의 전극사이에 전계를 인가하여 전자를 방출시키는 유도방출법과 물질의 표면에 임계에너지 이상의 광을 조사하여 전자를 방출시키는 광전효과를 이용한 것으로서, 두개의 박막형의 전극을 형성하고 이 전극을 방출전극, 수전전극으로 사용하고 임계에너지 이상의 광을 방출하여 게이트의 동작을 수행하게 제작된 박막형 광게이트를 이용한 트랜지스터 구조에 관한 것으로서, 그 구성은 모스 트랜지스터와 소오스와 같은 기능의 방출전극(6), 방출된 전자를 수집하는 수전전극(7) 그리고 방출전극의 표면에 광을 조사하기 위한 광원으로 구성되어서, 광게이트의 구동속도가 곧 트랜지스터의 동작속도가 되어 고속의 동작특성을 나타내며, 더우기 광의 세기를 변화시켜 전류의 세기를 변화시킬 수 있어증폭의 특성을 나타내어 광논리 회로의 기본소자로 응용이 기대된다.
Int. CL H01L 29/73 (2006.01)
CPC H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01)
출원번호/일자 1019930028266 (1993.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0120690-0000 (1997.08.20)
공개번호/일자 10-1995-0021733 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970006735 (19970429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성원 대한민국 대전직할시유성구
2 유종선 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142134-32
2 특허출원서
Patent Application		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142133-97
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142135-88
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142136-23
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142137-79
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067070-19
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142138-14
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067071-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

규소기판(9) 위에 산화막(10)을 형성하고, 상기 산화막(10) 상부에 상기 규소기판(9) 위로부터 소정의 간격(진공 또는 대기등의 기체로 충진)으로 떨어진 방출전극(11)을 박막형의 전극모양으로 형성하고, 상기 규소기판(9) 또는 상기 방출전극(11)이 표면에 광을 조사하기 위한 광게이트(13)를 설치한 것을 특징으로 하는 박막형 광게이트를 이용한 트랜지스터 구조

2 2

제1항에 있어서, 상기 광게이트(13)는 광원으로써 상기 규소기판(9)의 양끝단에 있는 산화막(10) 사이의 측면에 설치되는 것을 특징으로 하는 박막형 광게이트를 이용한 트랜지스터 구조

3 3

제2항에 있어서, 상기 광게이트(13)는 광에너지를 조사하기 위한 레이저, 포토다이오드 등을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막형 광게이트를 이용한 트랜지스터 구조

4 4

제2항에 있어서, 상기 광게이트(13)에서 투사되는 광은 방출전극(16)에 그라운드 전위와 수전전극(15)에는 구동전원(17)이 각각 부가되는 것을 특징으로 하는 박막형 광게이트를 이용한 트랜지스터 구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.