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GAAS의질소화공정을이용한GAN단결정박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073993
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 III-V 화합물 반도체 중에서 청록색의 빛을 나타낼 수 있는 GaN(갈륨나이트라이드) 단결정 반도체 박막의 제조 방법에 관한 것으로, GaAs를 400℃이상의 온도로 가열할때 GaAs의 표면으로 부터 As원자가 빠져 나오는 현상을 이용하는 것으로, 이 상황에서 NH3(암모니아 가스)의 플라즈마 상태의 분압을 이용하여 N원자를 첨가시킴으로써, As가 빠져나온 자리를 N원자로 치완하여 GaN단결정 반도체 박막을 성장시키는 제조방법이다.
Int. CL C30B 29/42 (2006.01) C30B 29/38 (2006.01)
CPC C30B 25/105(2013.01) C30B 25/105(2013.01) C30B 25/105(2013.01) C30B 25/105(2013.01)
출원번호/일자 1019920023352 (1992.12.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0098672-0000 (1996.04.24)
공개번호/일자 10-1994-0014928 (1994.07.19) 문서열기
공고번호/일자 1019960001927 (19960206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.04)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 대전직할시중구
2 이성재 대한민국 서울특별시서초구
3 김경옥 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126766-67
2 특허출원서
Patent Application
1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126764-76
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126767-13
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126765-11
5 출원심사청구서
Request for Examination
1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126768-58
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126769-04
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1995.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0041821-58
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1995.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126770-40
9 의견서
Written Opinion
1995.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126772-31
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1995.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126771-96
11 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1996.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0041822-04
12 등록사정서
Decision to grant
1996.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0041823-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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GaN의 단결정 반도체 박막을 성장시키는 제조방법에 있어서, GaAs 기판을 트리클로로 에틸렌과 아세톤 그리고 메칠아콜에 각각 5분간 담근이후 1 : 1 : 25의 조성비를 갖는 NH4OH : H2O2 : H2O에 30초간 담그고 1 : 15의 조성비를 갖는 NH4OH : H2O에 15초간 담근 후 D

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.