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내부전반사형반도체광스위치소자

  • 기술번호 : KST2015073994
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 굴절율 변화 영역을 두개를 맞붙여 놓은 형태로 구성하여 전반사가 두번 일어나도록 하여 광도파로 사이의 교차각을 크게 하여 칩의 크기를 줄일 수 있는 내부 전반사형 광스위치로서, n형 InP기판(1), n형 InGaAsP광도파로층(2), ridge 형태의 n형 InP클래드층(3), ridge형태의 n형 InGaAsP캡층(4), Zn확산 또는 Be이온주입에 의해 형성된 p형 클래드 및 캡 영역(7), InP기판(1) 밑변에 증착된 n형 전극(5), p형 캡영역 위에 증착된 p형 전극(12,13)으로 구성되어 있으며, p형 클래드 및 캡 영역(7)과 p형 전극(12,13) 평면 모양은 입사빛에 대하여 θ 및 2θ의 각도를 갖는 두개의 영역이 맞붙어 있는 형태로 구성된다.
Int. CL H01L 31/08 (2006.01)
CPC H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01)
출원번호/일자 1019920023354 (1992.12.04)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0091960-0000 (1995.11.22)
공개번호/일자 10-1994-0016967 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019950009631 (19950825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.04)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박기성 대한민국 대전직할시중구
2 김흥만 대한민국 대전직할시중구
3 오대곤 대한민국 대전직할시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126779-50
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126783-33
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126780-07
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126782-98
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126781-42
6 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126784-89
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126785-24
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0041826-86
9 등록사정서
Decision to grant		 1995.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0041827-21
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판(l)위에 형성되는 광도파로층(2)과, 상기 광도파로층(2)위에 순차로 형성되는 클래드층(3) 및 캡층(4)과, 전류주입을 위해 상기 기판(1) 아래화 상기 캡층(4)위에 각각 형성되는 제1전극(5) 및 제2전극(12)을 포함하고 적어도 2개씩의 광입출력포트(8∼11)를 갖는 반도체 광 스위치장치에 있어서, 상기 제2전극(l2)은 상기 광입력포트(8)내의 제1반사영역(A)을 형성하기 위해 입사광과 -θ의 각도를 이루고 상기 광출력포트(10)내의 제2반사영역(B)을 형성하기 위해 상기 입사광과-2θ의 각도를 이루어 "∧"형태로 형성되고, 상기 클래드층(3) 및 상기 캡층(4) 중 상기 제2전극(12)이 형성되는 영역은 상기 "∧"형태의 상기 제2전극(12)과 평행으로 형성되는 것을 특징으로 하는 내부전반사형 반도체 광 스위치 소자

2 2

제l항에 있어서, 상기 광 입력포트(9) 및 상기 광출력포트(10)의 상기 클래드층(3) 및 상기 캡층(4)의 영역들은 상기 제2전극(12)이 형성되는 영역과 대칭굴절율으로 형성되고, 상기 광입력포트(9) 및 상기 광출력포트(l0)내에 다른 두개의 반사영역을 각각 형성하기위해 상기 캡층(4)위에 형성되고 상기 제2전극(12)과 대칭을 이루는 "∨"형태의 제3전극(13)을 부가적으로 포함하는 것을 특징으로하는 내부전반사형 반도체 광 스위치 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.