| 1 |
1
화합물 반도체 기판(1)을 준비하는 공정과, 상기 반도체 기판(1)상에 유전체 박막(2)을 형성하는 공정과, 상기 유전체 박막(2)상에 도포 및 감광막(3)을 식각하여 역메사 패턴의 식각된 부분을 갖는 공정과, 상기 역메사 패턴에 의해 노출된 상기 유전체 박막(2)을 상기 기판(1)에 대해 소정 각도로 경사되게 식각하는 공정과, 전자 빔 가열방식을 이용하여 상기 식각공정과는 반대되는 방향의 경사각으로 상기 감광막(3)상에 게이트 금속(6)을 형성하되, 상기 역메사 패턴에 있어서 노출된 기판(1)상에 역메사 구조의 게이트(7)가 형성하는 공정과, 게이트 금속(6)과 감광막(3) 및 유전체 박막(2)을 차례로 식각하여 상기 기판(1)에 형성된 역메사 구조의 게이트(7)만 남게 하는 공정과, 상기 기판 (1)상에 도포된 소정 패턴의 감광막(3a)에 의해 오믹 금속(8)을 형성하여 소스전극(9)과 드레인 전극(10) 및 게이트 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 초미세 게이트 화합물 반도체 소자의 제조방법
|
