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부분고도핑형고속광스위치제조방법

  • 기술번호 : KST2015074010
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류주입에 의한 내부 전반사형 광스위치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 광스위치의 반사영역부분의 코아층의 도핑을 높게하여 도파로의 손실을 줄이고 광스위치의 동작속도를 증가시키는 내부 전반사형 광스위치의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 n+-lnP기판(1)상에 n--InGaAsP광도파로층(2), n--lnP층(3)을 1차 결정성장하고, 도파로의 교차로 부분이 형성되는 n--lnP층(3), n--InGaAsP층(2)을 선택식각하여 제거하고, 도핑레벨을 높인 전류차단층(4~7)과 P--InGaAs캡층(8)을 2차 결정성장하고, 도파로 교차부분에서 전류주입시켜 광의 반사를 일으킬 부분을 홈모양으로 선택식각하고, SiNx마스크로 상기 홈모양의 선택식각된 부분만을 Zn확산하거나 웨이퍼 전면은 Zn 확산시키고, 도파로를 제외한 부분의 충돌(8~5)을 선택식각하여 제거하고, SiNx절연막(9)을 전면에 중착하고 P형전극(11)부분의 SiNx절연막(9)을 식각하고 P형전극(11)을 중착한후 n형전극(12)을 중착하여 제조한다.또한 상기 제방법에 대한 본 발명은 전류주입에 의한 내부 전반사형 광스위치의 속도를 고속화하여 광교환용량을 증가시킨다.
Int. CL H01L 31/08 (2006.01) H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/102(2013.01)H01L 31/102(2013.01)H01L 31/102(2013.01)
출원번호/일자 1019930027341 (1993.12.11)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0119224-0000 (1997.07.30)
공개번호/일자 10-1995-0021810 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970006607 (19970429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오광룡 대한민국 대전직할시유성구
2 한덕영 대한민국 대전직할시유성구
3 김홍만 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울특별시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138008-48
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138007-03
3 특허출원서
Patent Application		 1993.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138006-57
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138009-94
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138010-30
6 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138011-86
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0064385-60
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0064386-16
9 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138012-21
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

전류주입에 의한 광스위치 제조방법에 있어서, n+형 InP기판(1)상에 n--InGaAsP광도파로(2)과 n--InP층(3)을 에피텍시법으로 1차 결정성장하는 공정과; 상기 1차 결정성장된 층들 중에서 상기 n--InP층(3)과 n--InGaAsP층을 선택식각액으로 식각하여 제거하는 공정과; 상기 식각된 층(2,3)상에 도핑레벨을 높인 n+-InGaAsP광도파로층(4), n--InP클래드층(5), n--InP블로킹층(6), n--InGaAsP캡층(7), p--InGaAs캡층(8)의 순서로 적층된 층들을 2차 결정성장하는 공정과; 도파로 교차부분에서 전류주입을 시켜 광의 반사를 일으킬 부분을 홈모양으로 선택식각하는 공정과; SiNx을 마스크로 사용하여 상기 홈모양의 식각부분만을 아연(Zn)확산(10)시키는 공정과; 도파로를 제외한 부분의 p--InGaAs캡층(8), n--InGaAs캡층(7), p--InP층(6), n--InP층(5)을 선택식각하여 제거하는 공정과; 상기 선택식각된 층(8~5) 상 전면에 SiNx절연막(9)를 증착하고, 리소그라피를 통하여 P형 전극(11) 부분의 SiNx절연막(9)을 식각하고, 리프트-오프공정을 이용하여 상기 P형 전극(11)을 증착한 후 n형 전극(12)을 증착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 부분 고도핑형 고속 광스위치의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 선택식각액은 염산과 인산, 황산을 이용하는 것을 특징으로 하는 부분 고도핑형 고속 광스위치의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 2차 결정성장 단계에서 p--InGaAs캡층(8)을 성장시키지 않을때는 아연확산 단계에서 웨이퍼 전면을 아연확산시키는 것을 특징으로 하는 부분 고도핑형 고속 광스위치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.