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ALGAAS/GAAS메사이종접합쌍극자트랜지스터및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015074033
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Hetero-junction Bipolar Transistor)에 관한 것으로, 더 구체적으로 AlGaAs/GaAs 메사(mesa) 이종접합 쌍극자트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, n-AlGaAs에 n+GaAs가 적층된 에미터메사와 n-GaAs에 P+GaAs가 적층된 베이스메사를 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 베이스메사의 표면에 Al 이온의 주입에 의해 형성되는 AlGaAs 보호층(12)을 포함하는 것이다.
Int. CL H01L 29/80 (2006.01)
CPC H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01)
출원번호/일자 1019920024459 (1992.12.16)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0091109-0000 (1995.11.01)
공개번호/일자 10-1994-0016951 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019950008254 (19950726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.16)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성현 대한민국 대전직할시유성구
2 이홍수 대한민국 대전직할시유성구
3 강상원 대한민국 대전직할시유성구
4 구진근 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울특별시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132789-03
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132792-30
3 특허출원서
Patent Application		 1992.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132788-57
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132791-95
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132790-49
6 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132793-86
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0132794-21
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0044056-51
9 등록사정서
Decision to grant		 1995.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0044057-07
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n- AlGaAs에 n+ GaAs가 적층된 에미터메사와 n- GaAs에 P+GaAs가 적층된 베이스메사를 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기 베이스메사의 표면에 Al이온의 주입에 의해 형성되는 AlGaAs보호층(12)을 포함하는 것을 특징으로 하는 AlGaAs/GaAs메사 이종접합 쌍극자 트랜지스터

2 2

에미터메사와 베이스메사를 갖는 이종접합 쌍극자 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 반절연기판(1)상에 n+ GaAs버퍼층(2), n- GaAs층(3), P+ GaAs층(4), n- AlGaAs층(5), n+ GaAs층(6) 및 n+ InGaAs층(7)을 순차로 형성한 후 내화금속층(8)을 형성하는 단계와, 감광막(9)을 도포한 후 패턴을 형성하고 상기 내화 금속층(8), 상기 n+ InGaAs층(7), 상기 n+ GaAs층(6) 및, 상기 n- AlGaAs층(5)을 차례대로 식각하여 에미터메사를 형성하는 단계와, 이온주입기를 이용하여 상기 P+ GaAs층(4)의 표면에 고농도로 Al이온(10)을 주입한 후 베이스메사 및 소자 격리메사를 형성하는 단계와, 질화막(11)을 증착한 후 열처리하여 AlGaAs보호층(12)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 AlGaAs/GaAs메사 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 내화금속층(8)은 WSi인 것을 특징으로 하는 AlGaAs/GaAs메사 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.