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공명투과양자효과를 이용한 다이오드에 있어서, 도핑되지 않은 양자우물(6)과, 상기 양자우물(6)의 상하부에 대칭적으로 각각 형성되는 두 개의 양자장벽(5,5′)과, 상기 두 개의 양자장벽(5,5′)의 상하부에 각각 두 개씩 형성되 불순물이 상기 양자우물(6) 및 상기 양자장벽(5,5′)으로 침투하는 것을 방지할 수 있는 두께로 형성되는 공간층(3,4,3′,4′)을 포함하는 것을 특징을 하는 공명투과다이오드
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제1항에 있어서, 상기 양자우물(6)은 45Å의 두께를 갖는 GaAs층으로 형성되고, 상기 두 개의 양자장벽(5,5′)은 각각 40Å의 두께를 갖는 AlAs층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 공명투과다이오드
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공명투과양자특성을 갖는 다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 분자선기상 성장법으로 도핑되지 않은 GaAs의 양자우물(6)을 소정의 두께로 성장시키고 상기 양자우물(6)의 상하면에 각각 제1 및 제2양자장벽(5,5′)과 제1 및 제2공간층(3,4,4′,3′)을 순차로 성장시킨 후 상기 제2공간층(3)의 표면에 완충층(2)을 형성하고 상기 다른 제2공간층(3′)의 표면에 접촉층(7)을 형성하는 단계와, 기판(1)의 뒷면에 저항성 접촉을 위한 AuGe/Ni/Au를 열증착법으로 증착하는 단계와, 제1포토레지스트(9)를 상기 기판(1)전면에 도포한 후 리소그라피에 으해 돌출부를 형성하는 단계와, 상기 기판(1)의 전면에 저항성 접촉을 위한 AuGe/Ni/Au(8)를 증착한 후 리프트오프에 의해 금속패턴을 형성하는 단계와, 상기 금속패턴을 마스크로 상용하여 상기 완충층(2)까지 메사를 형성하는 단계와, 절연막을 증착한 후 제2포토레지스트를 도포하고 에칭하여 접촉홀의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트의 개구를 에칭한 후 저항성 접촉용 금속을 열처리하는 단계와, 상기 제2포토레지스트의 돌출부를 형성한 후 Ti/Au를 증착하고 리프트-오프시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공명투과다이오드의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 AuGe, Ni, Au는 각각 1500Å, 500Å, 3000Å의 두께로 형성되고, 상기 AuGe의 Au :Ge=88 : 12인 것을 특징으로 하는 공명투과다이오드의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 저항성 접촉금속의 열처리는 450℃에서 20~40초동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 공명투과 다이오드의 제조방법
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제3항에서 있어서, 상기 Ti는 전자빔진공증착법에 의해 200Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 공명투과다이오드의 제조방법
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