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초고속광스위칭소자

  • 기술번호 : KST2015074038
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 광학적 온과 오프의 비율을 갖는 양자우물구조를 조합한 초고속 광스위칭 소자에 관한 것으로, 종래의 GaAs 계열의 양자우물구조는 비교적 높은 비율을 가지나, 광전자와 격자 등에 의한 소멸시간에 의해 수 나노초 내지 수십 나오초의 광스위칭 시간을 가지므로, 일반적인 초고속 전자소자의 속도보다 느린 스위칭 시간을 갖는 문제가 있는데에 따라서, 본 발명은 이 두개의 양자우물구조를 이용하여 하나는 표백현상에 의한 온의 역할을 하는 기능을 갖고, 다른 하나는 흡수기능을 주어 수 피코초 이내의 짧은 스위칭 시간을 갖는다.상기 두개의 양자우물구조는 기판위에 AlXGa1-XAS층과 GaAs층이 교대로 성장되는 구조로서 스위칭의 효과는 조절광, 입사광, 투과광에 의해 동작되어 미래의 광통신과 광 컴퓨터인 정보통신 분야에 사용될 수 있다.
Int. CL G02F 1/01 (2006.01)
CPC G02F 1/01716(2013.01) G02F 1/01716(2013.01) G02F 1/01716(2013.01)
출원번호/일자 1019930013359 (1993.07.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0125014-0000 (1997.10.01)
공개번호/일자 10-1995-0003859 (1995.02.17) 문서열기
공고번호/일자 (19971201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.07.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한선규 대한민국 대전직할시서구
2 이종태 대한민국 대전직할시서구
3 유병수 대한민국 대전직할시대덕구
4 정태형 대한민국 대전직할시유성구
5 최영완 대한민국 서울특별시송파구
6 박병운 대한민국 대전직할시서구
7 이일항 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071234-56
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071232-65
3 특허출원서
Patent Application		 1993.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071230-74
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071233-11
5 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071231-19
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.01 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071235-02
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.07.20 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-1993-0071236-47
8 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 1996.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0025385-12
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0025386-57
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1997.03.29 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071237-93
11 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071238-38
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1997.04.29 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071239-84
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071240-20
14 의견서
Written Opinion		 1997.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071241-76
15 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0071242-11
16 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0025387-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광스위칭 소자에 있어서, 기판위에 서로 다른 에너지 갭을 각각 갖는 제 1 양자우물구조(1)와 제 2 양자우물구조(2)가 접합되고, 상기 제 1 양자우물구조(1)와 상기 제 2 양자우물구조(2)는 각기 전자에 의한 짧은 시간상수와, 격자나 정공에 의한 긴 시간 상수를 가지고, 제 1 양자우물구조(1)는 표백현상을, 상기 제 2 양자우물구조(2)는 상기 제 1 양자우물구조의 표백현상을 흡수하는 흡수현상을 갖으며, 그 표백현상과 흡수현상은 같은 크기이고, 상기 제 1 양자우물구조(1)의 표백현상과 상기 제 2 양자우물구조(2)의 흡수현상이 긴 시간대에서 격자나 정공에 의한 긴 시간 상수가 동일하도록 상기 제 1 양자우물구조(1)와 제 2 양자우물구조(2)가 구성된 것을 특징으로 하는 초고속 광스위칭 소자

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 양자우물구조(1)와 상기 제 2 양자우물구조(2)는 AlXGa1-XAS층과 GaAs층이 교대로 성장되는 것을 특징으로 하는 초고속 광스위칭 소자

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 양자우물구조(1)와 상기 제 2 양자우물구조(2)는 AlXGa1-XAS층과 AlyGa1-yAs층이 교대로 성장되는 것을 특징으로 하는 초고속 광스위칭 소자

4 4

제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 양자우물구조(2) 하부에 접합되어 투과광을 반사시키는 거울층을 부가적으로 포함되는 초고속 광스위칭 소자

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02798888 JP 일본 FAMILY
2 JP07072516 JP 일본 FAMILY
3 US05448080 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2798888 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7072516 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH0772516 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5448080 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.