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트렌치를이용한내부전반사형광스위치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074079
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트랜치를 이용한 내부 전반사형 광스위치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 광스위치는 에피의 성장, 식각을 통한 트랜치의 형성, 재성장을 통한 오믹충의 형성, 전극증착등에 의해 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분을 식각한 후 재성장법을 사용하여 종래의 Zn확산법에 의해 형성되는 전반사 영역보다 도핑분포를 조절함이 용이하여 전류주입층과 도파로층간이 도핑이 계단형 분포를 이룸으로 전류주입에 의한 스위칭 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 상승 플래딩에 반절연 InP를 삽입하여 광도파로의 전파손실을 주지 않으면서 전류주입시 전류의 확산을 막는 구조이다.
Int. CL G02B 6/26 (2006.01)
CPC G02F 1/025(2013.01) G02F 1/025(2013.01) G02F 1/025(2013.01) G02F 1/025(2013.01) G02F 1/025(2013.01)
출원번호/일자 1019930027625 (1993.12.14)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0127973-0000 (1997.10.28)
공개번호/일자 10-1995-0019795 (1995.07.24) 문서열기
공고번호/일자 1019970011524 (19970711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.14)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종대 대한민국 대전직할시서구
2 박기성 대한민국 대전직할시유성구
3 오광룡 대한민국 대전직할시유성구
4 오대곤 대한민국 대전직할시유성구
5 김홍만 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139258-13
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139257-78
3 특허출원서
Patent Application		 1993.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139256-22
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139259-69
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139260-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0065183-12
7 의견서
Written Opinion		 1997.04.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139261-51
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.04.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139262-07
9 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139263-42
10 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0065184-68
11 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139264-98
12 등록사정서
Decision to grant		 1997.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0065185-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광스위치의 제조방법에 있어서, n-InP 기판(10)상에 n-InP 버퍼층(11), n-InGaAsP층(12), 비도핑된 InP층(13), 반절연 InP층(14), 및 비도핑된 InGaAs층(25)을 순차적으로 성장시키는 공정과 ; 상기 비도핑된 InP층(13)과 n-InGaAsP층(12)의 경계면까지 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과 ; 상기 트렌치를 형성한 결과물의 전면에 p+-InP층(16)과 p+-InGaAs(17)층을 순차적으로 재성장시키는 공정과 ; 포토레지스트로 패턴을 형성한 후 상기 n-InGaAsP(12), 비도핑된 InP층(13)의 경계면까지 기판 전체를 식각하여 교차형 광도파로를 형성하는 공정과 ; 포토레지스트로 패턴을 형성한 후 상기 비도핑된 InGaAs(15)층과 반절연 InP(24)의 경계면까지 선택식각하고, 전자빔 증착기로 p-오믹금속층(18)과 n-오믹금속층(19)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 내부 전반사형 광스위치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.