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이종접합소자의P형오믹접촉형성방법

  • 기술번호 : KST2015074080
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명을 반도체 소자 제작에 있어서 이종접합 소자의 P형 오믹접촉 형성방법에 관한 것으로서, 종래에 금을 기반으로 한 합금들이 오믹 열처리후에 갈륨비소 내부로 침투해 들어감으로써 금속의 표면양태가 악화되는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 반절연성 기판(8)위에 통상의 에피구조를 형성하는 공정(A)과, 이 위에 소정위치에 에미터금속(9)을 증착하고, 소정부분을 매사식각하는 공정(B)과, 이 위에 제1크롬(11), 금/아연 합금(12), 제2크롬(13), 팔라듐(14), 금(15)으로 구성된 P형 베이스 금속(10)을 형성하는 공정(C)과, 전체 상면에 소정증착에 의해서 실리콘 산화막(16) 및 실리콘 질화막(17)을 형성하는 공정(D)을 제공함으로써 접촉특성의 균일성 및 금속의 표면양태가 양호하고 접촉비 저항값도 한층 개선시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/73 (2006.01)
CPC H01L 29/452(2013.01) H01L 29/452(2013.01)
출원번호/일자 1019930027627 (1993.12.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0120689-0000 (1997.08.20)
공개번호/일자 10-1995-0021732 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970006734 (19970429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전직할시유성구
2 박철순 대한민국 대전직할시유성구
3 박형무 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139273-09
2 특허출원서
Patent Application		 1993.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139271-18
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139272-53
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139274-44
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139275-90
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0065191-88
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139276-35
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0065192-23
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 갈륨비소 기판(8)위에 완충층(7), 부콜렉터층(6), 콜렉터층(5), 베이스층(4), 스페이서층(3), 에미터층(2), 캡층(1)을 순차적으로 형성하는 공정(A)과, 상기 캡층(1)위에 원하는 영역에 에미터금속(9)을 증착한 후, 이 에미터 금속(9)을 마스크로 하여 상기 베이스층(4) 표면까지 메사식각을 하는 공정(B)과, 상기 에미터층(2)에 인접하여 상기 메사식각된 베이스층(4) 표면위에 순차로 제1크롬 금속층(11), 수백Å두께의 금 및 아연 합금층(12), 제2크롬 금속층(13), 파라듐 금속층(14), 금 금속층(15)으로 형성된 P형 베이스금속(10)을 형성하는 공정(C)과, 상기 P형 베이스 금속(10) 및 기판전면위에 소정의 전자파를 이용하여 N2O/SiH4의 혼합가스 플라즈마로써 실리콘 산화막(16)과, 아울러 N2/SiH4의 혼합가스에 의해 실리콘 질화막(17)을 연속하여 도포하는 공정(D)을 포함하는 이종접합 소자의 P형 오믹접촉 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1크롬 금속층(11)은 상기 금 및 아연 합금층(12)과의 접착성을 증대하기 위해 수백Å두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 이종접합 소자의 P형 오믹접촉 형성방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2크롬금속층(13)은 상기 제1크롬금속층(11)과 P형 접촉금속으로 이용되는 것을 특징으로 하는 이종접합 소자의 P형 오믹접촉 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 제2크롬 금속층(13)은 상기 제1크롬 금속층(11)보다 상대적으로 두껍게 증착하여 갈륨비소 내의 도너레벨을 형성하도록 해주는 것을 특징으로 하는 이종접합 소자의 P형 오믹접촉 형성방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 파라듐 금속층(14)은 약 100내지 200Å두께로 증착하여 상기 금 금속층(15)이 열처리 후에나 소자 동작시에 고온에 의해 소자내부로 확산되는 것을 막는 보호층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 이종접합 소자의 P형 오믹접촉 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.