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반사형이진위상격자의제조방법과반사형이진위상격자를이용한점배열발생방법

  • 기술번호 : KST2015074106
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반사헝 이진위상격자의 제조방법과 점배열 발생 구도에 관한 것으로, 특히 산화실리콘의 성장 특성을 이용하여 반사형 이진위상격자를 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 종래의 투과형 이진위상격자의 단점인 식각공정의 다단계, 식각깊이 조절의 어려움을 극복하기 위하여 균일도가 좋은 산화실리콘의 성장 특성을 이용하므로 격자간의 두께 차이가 정확하고. 단일 식각공정으로 간략화 되어 패턴의 크기 조절이 쉬운 반사형 이진위상격자의 제작이 가능하다.따라서 반사형 격자를 이용하여 점배열을 발생시키면 높은 효율을 기대할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G02B 5/0858(2013.01)
출원번호/일자 1019920011453 (1992.06.29)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0098677-0000 (1996.04.24)
공개번호/일자 10-1994-0001317 (1994.01.19) 문서열기
공고번호/일자 1019960001164 (19960119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.06.29)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박서연 대한민국 대전직할시유성구
2 차재현 대한민국 대전직할시서구
3 곽종훈 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063386-10
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063387-55
3 특허출원서
Patent Application		 1992.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063385-64
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063388-01
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063389-46
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0020433-10
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063390-93
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063391-38
9 의견서
Written Opinion		 1995.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063392-84
10 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0020434-55
11 등록사정서
Decision to grant		 1996.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0020435-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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광교환기 및 광컴퓨터 등에 활용하는 이진위상격자를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 기판(8)의 표면을 산화시켜 소정 두께의 산화실리콘층(9)을 형성하는 단계와, 상기 산화실리콘층(9)상에 감광막(3)을 도포하고 소정 패턴을 정의하는 단계와, 상기 패턴된 감광막(3)을 마스크로 하여 상기 산화실리콘층(9)의 노출된 부분을 실리콘기판 (8)이 노출되도록 식각하는 단계와, 상기 패턴된 감광막(3)을 제거하고 실리콘기판(8)의 노출된 부분과 산화실리콘층(9)의 상부에 고반사막(10)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 이진위상격자의 제조방법

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이진위상격자를 이용하여 광의 점배열을 발생시키는 방법에 있어서, 편광기(11)와, 편광빔 분리기(12)와, λ/4 위상지연기(13) 및, 반사형 이진위상격자 (14)를 순차로 배열하고 입사되는 평행광에 수직으로 렌즈(7)가 위치되도록 하여 편광방향에 대한 상기 편광빔 분리기(12)의 분리특성과 상기 λ/2 위상지연기(13)의 편광변화 특성을 이용하여 상기 반사형 이진위상격자(14)로부터 반사되는 빔을 상기 렌즈(7)로 퓨리에 변환되도록 하는 것을 특징으로 하는 반사형 이진위상격자를 이용한 점배열 발생방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.