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티형포지티브레지스트프로파일형성방법

  • 기술번호 : KST2015074127
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 라소그라피 공정시 사용되는 형상반전 공정방법에 관한 것으로, 특히, 얇은 레지스트를 사용하여 공정을 간단하게 한 T형 포토 레지스트 프로파일 공정방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조공정은 기판상에 포토레지스트를 도포하고 연화건조시킨 다음 노광시키고, 산 발생을 위한 열처리를 수행하고, 상기 포토레지스트를 형상시켜 포지티브 패턴을 형성하는 공정으로 이루어진다. 따라서 본 발명은 형상반전공정에 비해 웨이퍼 전면 노광 공정이 필요없게 되므로 공정이 간단해지고 포지티브형상이므로 네가티브형상반전보다 공정 및 마스크제작이 용이한 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1019930029628 (1993.12.24)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1995-0021044 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병선 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148376-14
2 특허출원서
Patent Application		 1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148374-12
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148375-68
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148377-59
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148378-05
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070928-48
7 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148379-40
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1997.05.19 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148380-97
9 의견서
Written Opinion		 1997.06.19 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148381-32
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.06.19 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148382-88
11 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148383-23
12 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070929-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판상에 포토레지스트를 도포하고 연화건조시킨 다음 노광시키고 형상반전 열처리하고 웨이퍼전면을 노광시킨 다음 레지스트를 현상시켜 내가티브패턴을 형성하는 형상반전공에 있어서, 기판상에 포토레지스트를 도포하고 연화건조시키고 노광 시키는 공정과; 산발생을 위한 열처리를 수행하는 공정과; 상기 포토레지스트를 현상시켜 포지티브 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 T형 포지티브 레지스트 프로파일 형성 공정방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.