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에어브리지형성을위한금도금용박막전도체층구조

  • 기술번호 : KST2015074130
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에어브리지(airbridge)형성을 위한 금도금융 박막전도체증 구조에 관한 것으로서 종래 기술은 금속층과 도금된 층과의 접착력이 약하고, 크롬/금, 티타늄/금 등의 2층 구조로서 도금층의 두께 조절이 어려운 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 에어브리지 형성을 위한 도금용 박막 전도체증(3)이 접착력증(6)과, 전도체증(7)과 표면보호층(8)의 3층 구조로 형성되되, 이 중 접착력층(6)이 크롬 또는 티타늄, 전도체증(7)이 니켈, 표면보호층(8)이 금으로 된 구조를 제공함으로써 금속박막이 깨끗한 표면으로 될 수 있다.
Int. CL H01L 21/3205 (2006.01)
CPC H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01)
출원번호/일자 1019930029633 (1993.12.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0115787-0000 (1997.05.30)
공개번호/일자 10-1995-0021226 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970002438 (19970305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김해천 대한민국 대전직할시유성구
2 이종람 대한민국 대전직할시유성구
3 권오승 대한민국 대전직할시유성구
4 문재경 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148414-51
2 출원심사청구서
Request for Examination
1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148415-07
3 특허출원서
Patent Application
1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148413-16
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1994.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148416-42
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1997.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070952-34
6 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.03.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148417-98
7 등록사정서
Decision to grant
1997.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070953-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

제1레지스트층(2)을 이용하여 금속패드층(1)을 남기고, 박막 전도체층(3)을 전 웨이퍼에 형성하고, 상기 제1레지스트층(2)위 소정위치에 제2레지스트층(4)을 도포하고, 이 제2레지스트층(4)이 도포되지 않은 소정위치에 금도금층(5)을 형성한 후, 상기 레지스트층들(2,4) 및 상기 박막 전도체층(3)을 제거하여 에어브리지를 형성하는데 있어서, 상기 박막 전도체층(3)은 3층 구조로서 상기 금도금층(5) 및 상기 제1레지스트층(2)과의 접착력을 증가시키기 위해서 소정 두께의 크롬 또는 티타늄으로 된 접착력층(6)과, 이 위에 100Å이상 두께의 도금을 위한 소정두께의 니켈로된 전도체층(7)과, 이 위에 대기중 산화막 형성을 방지하기 위한 50Å이하 두께의 금(Au)으로 된 표면 보호층(8)을 포함하는 것을 특징으로 하는 에어브리지 형성기 위한 금도금용 박막 전도체층 구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.