맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

에미터커플드논리반도체장치

  • 기술번호 : KST2015074135
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 CML 또는 ECL회로에 관한 것으로 그 구조는 CML 또는 ECL회로의 스위칭 트랜지스터와 정전류원 트랜지스터가 절연막 등을 이용하여 전기적으로 격리된 하나의 동일한 N형 실리콘 영역에 집적화 된 구조에 관한 것으로서 상향 트랜지스터를 CML의 스위칭 트랜지스터롤 사용하고, 하향 트랜지스터를 CML의 정전류원 트랜지스터로 사용하며, 각 트랜지스터의 위쪽의 N형은 P형의 웨이퍼 상에 형성된 동일한 N형 영역으로 구성되어 스위칭 트랜지스터의 에미터와 정전류원 트랜지스터의 컬렉서탁 P 형의 웨이퍼기판에 형성된 동일한 N형 실리콘 영역으로 저절로 연결되기 때문에 이에 해당하는 별도의 접점이 필요없게 되어 기존의 구조에 비해서 집적도를 크게 향상시킬수 있을 뿐만 아니라 스위칭 트랜지스터의 콜렉터와 실리콘 기판사이의 커패시터가 최소화 되므로서 동작속도가 크게 빨라지는 효과가 있다.
Int. CL H01L 27/06 (2006.01)
CPC H01L 27/0617(2013.01) H01L 27/0617(2013.01)
출원번호/일자 1019920011456 (1992.06.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0088129-0000 (1995.08.19)
공개번호/일자 10-1994-0001387 (1994.01.20) 문서열기
공고번호/일자 1019950005463 (19950524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.06.29)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이진효 대한민국 대전직할시중구
2 신희천 대한민국 대전직할시대덕구
3 이규홍 대한민국 대전직할시대덕구
4 송원철 대한민국 대전직할시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1992.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063408-26
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063410-18
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063409-72
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0063411-64
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0020445-57
6 등록사정서
Decision to grant		 1995.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0020446-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1의 전원모드를 통하여 제공되는 전류의 흐름을 전환하는 적어도 한쌍의 스위칭 트랜지스터들과, 상기 스위칭 트랜지스터들중 어느 하나의 스위칭 트랜지스터를 통하여 제공되는 상기 전류를 제2의 전원노드로 제공하는 정전류원 트랜지스터 및, 출력버퍼용 에미터 폴로우 트랜지스터를 포함하는 에미터 커플드 논리반도체장치에 있어서, P형 웨이퍼상에 형성되되 상기 스위칭 트랜지스터들 각각의 에미터와 상기 정전 류원 트랜지스터의 커러렉터로서 형성되는 N형 에피택셜층과, 상기 N형 에피택셜층내에 각각 형성되되 상기 스위칭 트랜지스터들 및 상기 정전류원 트랜지스터 각각의 베이스로서 형성되는 적어도 3개 이상의 P형 영역들과, 상기 P형 영역들 각각의 내부에 각각 형성되되 상기 스위칭 트랜지스터들 각각의 컬렉터 및 상기 정전류원 트랜지스터의 에미터로서 형성되는 적어도 3개 이상의 N형 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 에미터 커플드 논리반도체장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터들 및 상기 정전류원 트랜지스터가 상기 P형 기판상에 전기적으로 격리된 하나의 상기 N형 에피텍셜층내에 집적되는 것을 특징으로 하는 에미터 커플드 논리반도체장치

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 N형 에피택셜층과 상기 P형 기판사이에 형성된 고농도의 N형 매몰층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에미터 커플드 논리반도체장치

4 4

적어도 한쌍의 스위칭 트랜지스터들과, 정전류원 트랜지스터 및, 에미터 폴로우 트랜지스터를 포함하는 에미터 커플드 논리반도체장치에 있어서, P형 웨이퍼내에 형성되되 고농도로 도핑되고 상기 스위칭 트랜지스터들 각각의 에미터와 상기 정전류원 트랜지스터의 컬렉터로서 형성되는 제1의 N형 영역과, 상기 제1의 N영역과는 별도로 상기 P형 웨이퍼내에 형성되되 고농도로 도핑되고 상기 에미터 폴로우 트랜지스터의 컬렉터로서 형성되는 제2의 N형 영역과, 상기 제1의 N형 영역상에 형성되되 기둥형상을 갖고 상기 스위칭 트랜지스터들 및 상기 정전류원 트랜지스터 각각의 베이스로서 형성되는 적어도 3개 이상의 P형 영역들과, 상기 제2의 N형 영역상에 형성되되 상기 기둥형상을 갖고 상기 에미터 폴로우 트랜지스터의 베이스로서 형성되는 다른 하나의 P형 영역과, 상기 P형 영역들 각각의 상부에 형성되되 상기 기둥형상을 갖고 상기 스위칭 트랜지스터들 각각의 컬렉터로서 형성되고, 상기 정전류원 트랜지스터 및 상기 에미터 폴로우 트랜지스터 각각의 에미터로서 형성되는 적어도 4개 이상의 N영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 에미터 커플드 논리반도체장치

5 5

제4항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터들 및 상기 정전류원 트랜지스터가 상기 P형 기판과 전기적으로 격리된 상기 제1의 N형 영역내에 상호 전기적으로 격리됨이 없이 집적되는 것을 특징으로 하는 에미터 커플드 논리반도체장치

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP00582076 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP02583000 JP 일본 FAMILY
3 JP07007082 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2583000 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7007082 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH077082 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.