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반도체소자의물성분석용슬릿의제조방법및슬릿을이용한미소부위엑스선회절분석방법

  • 기술번호 : KST2015074145
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체소자의 몰성분방법중에서 반도체소자의 몰성분용 슬릿의 제조방법 및 슬릿을 이용한 미소부위 엑스선 회절분석방법에 관한 것이다.종래의 엑스선 회절분석방법은 분석하고자 하는 시료가 작거나 분석영역이 미소부위일 경우 사용되는 엑스선빔외 크기를 감안한다면 회절피크를 통해 소재의 결정성이나 결정구조를 파악한다는 것은 거의 불능하였다.본 발명은 이러한 문제점을 극복하기 위한 것으로 엑스선 회절분석시 시료로 전달되는 빔의 크기를 조절할 수 있는 반도체소자의 몰성분석용 슬릿의 제조방법과 이 슬릿을 이용해서 시료의 미소부위까지 분석할 수 있는 슬릿을 이용한 엑스선 회절분석방법이다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/20(2013.01) H01L 22/20(2013.01)
출원번호/일자 1019930026783 (1993.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0125410-0000 (1997.10.06)
공개번호/일자 10-1995-0021806 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970010770 (19970630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상기 대한민국 대전직할시유성구
2 박형호 대한민국 대전직할시유성구
3 이희태 대한민국 대전직할시유성구
4 조경익 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135481-06
2 특허출원서
Patent Application		 1993.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135479-14
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135480-50
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135482-41
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135483-97
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062861-45
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135484-32
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062863-36
9 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.19 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1993-0062864-82
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

두께 150∼200μm인 소정 크기의 박판을 연마기를 사용하여 상기 박판의 중심 두께가 10∼20μm 정도를 갖되 직경 10mm 이내로 오목하게 연마하는 박판연마공정과, 상기 연마된 박판의 연마면 중앙에 커터를 사용하여 지름 1mm 이내의 구멍을 형성하는 통공형성공정을 포함하는 반도체소자의 물성분석용 슬릿 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 박판으로 엑스선 차폐성과 무결정성 갖는 유리박편을 사용한 반도체 소자의 물성분석을 슬릿 제조방법

3 3

반도체소자의 물성분석방법으로 정렬된 시료에 엑스선 빔을 조사하여 생성되는 회절피크를 검출기로 감지하여 얻어지는 정보를 통해 시료를 분석하는 엑스선 회절분석 방법에 있어서, 분석하고자 하는 시료의 미소부위만을 노출시키고 그외의 부분을 엑스선이 투과하지 않는 슬릿을 시료에 접착하여 원하는 미소부위를 분석하는 슬릿을 이용한 미소부위 엑스선 회절분석 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.