n+-InP기판(21)상면에 n--InGaAs광흡수층(22)을 형성하고, 그 위에 광이 투과하기 위한 n--InP윈도우층(25)을 형성하고, 그 위에 양자효율을 향상시키기 위해 500∼1000Å의 두께로 하여 n--InGaAs옴접촉층(26)을 형성하고, 그 위에 n--InP표면층(27)을 형성한 후, p-금속전극(16)을 형성하는 소정위치 하부에 p-물질확산층(28)이 p+-InP표면층(21) 및 p+-InGaAs옴접촉층(30)을 통과하여 윈도우층(28)까지 확산되어 pn-접합이 형성되는 InP계 PIN형 수광소자에 있어서, 상기 p+-InP표면층(31)이 소정부분이 선택에칭되어 p-금속전극(16)이 옴접촉저항을 줄이기 위한 p+-InGaAs(30)와 접촉하며(A), 확산된 pn접합이 표면은 표면누설 전류를 방지하기 위하여 밴드갭이 상기 InGaAs보다 상대적으로 큰 InP에 노출되는 부분(B) 을 갖는 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 수광소자

n+-InP기판(21)상면에 n--InGaAs광흡수층(22)을 형성하고, 그 위에 정공의 주입시간을 줄이기 위한 InGaAsP 그레이디드층(23)을 형성한 후, 그 위에 전기장을 가하기 위한 소정 두께 및 도핑농도를 갖는 차아지 쉬트 n-InP(24)와 n--InP증폭 및 윈도우층(25')을 각각 형성하고, 그 위에 양자효율을 향상시키기 위해 500~1000Å의 두께로 n--InGaAs옴접촉층(26)을 형성하며, 그 위에 n--InP윈도우층(27')을 형성한후, p-금속전극(16)을 형성하는 소정위치 하부에 p-물질확산층(28)이 p+-InP표면층(31) 및 p+-InGaAs옴접촉층(30)을 통하여 윈도우층(28)의 소정부분까지 확산되며, 이 확산된 만곡부분에 에지항복을 줄이기 위한 가이드링(20)을 형성하여 pn접합이 형성되는 InP계 APD형 수광소자에 있어서, 상기 p+-InP표면층(31)의 소정부분이 선택에칭되어 p-금속전극(16)이 옴접촉 저항을 줄이기 위한 p+-InGaAs(30)와 접촉하며(A), 확산된 pn-접합부의 표면은 표면 누설전류를 방지하기 위하여 밴드갭이 상기 InGaAs 보다 상대적으로 큰 InP에 노출되는 부분(B)을 갖는 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 수광소자

제2항에 있어서, 상기 InGaAsP그레이디드층(23)은 InP(Eg=1