갈륨비소 화합물 반도체 집적회로의 인덕터 제작공정에 있어서, 기판(1)위 제2노광막(7)에 기판접착 인덕터 형상을 형성하고, 그위에 중간 이중금속층(8)을 증착시키고, 또 그 위의 통상의 조광막보다 상대적으로 두꺼운 제3노광막(9)에 최종 인덕터 형상을 형성하는 공정(A)과, 도금액에 웨이퍼를 넣어 전기도금법으로 금선을 성장시키고, 상기 제3노광막(9)을 산소와 헬륨 혼합플라즈마(13)로 제거하고, 상기 중간 이중금속층(8)을 제거하는 공정(B)과, 상기 제2노광막(7)을 제거하여 인덕터를 형성하는 공정(C)을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광막 공정기법을 이용한 인덕터 제조방법

제1항에 있어서, 상기 산소와 헬륨 혼합플라즈마(13)는 헬륨을 산소보다 3배 이상 많이 흘리는 것을 특징으로 하는 노광막 공정기법을 이용한 인덕터 제조방법

기판(1)위에 질화막(2)을 증착하고 난 다음 제1노광막(3)을 형성하는 공정(A)과, 상기 질화막(2)을 반응성이온(4')에 의해서 변하여 생긴 노광막 표면딱지(6)를 진공속에서 산소와 헬륨 혼합플라즈마(13)로 제거하는 공정(C)과, 상기 제거에 의해서 두 금속막사이의 절연막을 뚫기 위한 접촉창(5)을 형성하는 공정(D)을 특징으로 하는 접촉창 형성방법