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갈륨비소 화합물 반도체 집적회로의 도금식 인덕터 제작공정에 있어서, 기판(1)위에 제1노광막(2)을 증착하고 패터닝하여 기판접착 인덕터 형상을 형성하되, 노광막을 열처리할 때 유리전이점인 10℃ 이하 온도에서 30분 이상 충분히 열처리하여 흘러내리지 않으면서도 완만한 노광막 단면이 형성되기 하는 공정과; 그 기판접착 인덕터 형상을 형성한 제1노광막(2)의 위에 소정 두께의 이중금속층(3)을 형성하는공정과; 그 이중금속층(3)의 위에 통상의 노광막보다 상대적으로 두꺼운 제2노광막(4)을 증착하고 패터닝하여 최종 인덕터 형상을 형성하는 공정과; 그 인덕터 형상을 형성 후, 도금액에 웨이퍼를 넣어 전기도금법으로 금선을 성장시키되, 무시할 수 있는 정도까지만 계면금속층이 자라는 도금 시간내에 원하는 두께를 얻을 수 있도록 도금농도를 조절하고, 상기 이중금속층(3)을 제거할 때 손실되는 두께를 감안하여 최종적으로 얻고자 하는 인덕터의 형성에 필요한 두께보다 6,000Å-10,000Å 더 두껍게 도금하는 공정과; 인덕터 도금 후에 상기 제2노광막(4)을 제거하고, 상기 이중금속층(3)의 윗층과 아래층을 차례로 제거하되, 순수한 이중금속층을 식각하는 시간보다 윗층의 경우 40-70배, 아래층의 경우 10-30배의 긴 시간동안 식각하고, 그 식각에 의해서 동시에 상기 인덕터 도금금속이 상기 여유 두께인 6000Å-10000Å 정도 되식각되어 뾰적한 돌출부 없이 모서리가 둥글게 된 인덕터 금속으로 형성하는 공정과; 상기 이중금속층(3)을 제거한 후 상기 제1노광막(2)을 제거하여 원하는 인덕터를 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 되식각을 이용한 전기도금식 인덕터 제조방법
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