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P형의 반도체 기판(1)상에 제1산화막(2), 제1질화막(3)과 제2산화막(4)를 순차적으로 형성한 다음, 트랜지스터 기둥(6)을 정의하고, 그 주변의 상기 제2산화막(4), 제1질화막(3)과 제1산화막(2)을 비등방성 건식 식각 한후, 상기 제2산화막(4)과 실리콘과의 식각비를 이용하여 실리콘 영역(5)을 비등방성 건식식각하여 상기 트랜지스터 기둥(6)을 정의하는 공정과, N형 제1불순물충(7)영역에 N형 불순물을 주입한 후 열확산시켜 N형 제1고농도 불순물충(7)을 형성하고, 상기 트랜지스터 기둥(6)의 벽면 각각에 제2질화막(8)을 형성하고 그 밑면면에 산화막(9)을 형성한 다음, 상기 제2질화막(8)과 상기 제2산화막(4)을 제거한 후, 제3산화막(10)을 을 증착하는 공정과, 상기 제3산화막(10)을 증착한 후에 상기 실리콘 영역(5)에 다결정 실리콘(11)을 상기 제2산화막(4) 상부까지의 단차보다 상대적으로 두껍게 증착한 후, 다결정 실리콘(11)을 표면연마하여 트랜지스터 기둥(6) 주변의 식각된 부분에 다결정 실리콘(11)을 매립하고, 다시 상기 다결정 실리콘(11)을 비등방성 건식식각하여 베이스 전극용 다결정 실리콘(12)을 형성하는 공정과, 상기 제3산화막(10)을 소정부분만큼 식각(13)한 후 다결정 실리콘(14) 표면을 산화(16)시켜 베이스전극(15)을 접촉하여 형성하는 공정과, 상기 식각된 실리콘 영역(5)과 베이스 전극(15) 형성 공정을 한 후, 남은 부분에 절연충(17)을 채워 표면을 평탄화시키고, 상기 트랜지스터 기둥(6)에 불순물을 주입하여 P형 불순물층(18)을 형성하고, N형 불순물충(19), N형 제2고농도 불순물충(20)과 N형 다결정실리콘충(21)을 형성하고, 금속선(22)을 베이스 P형 다결정 실리콘층(15), N형 다결정실리콘층(21) 및 N형 제1고농도 불순물층(7)에 접촉시키는 공정을 포함하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 P형 기판(1)위에 N형 제1고농도 불순물층(25)을 형성한 후 N형 저농도 실리콘층(26)을 성장시킨 다음, N형 제1고농도 불순물층(7) 영역에 N형 불순물을 주입한 후, 열확산시켜 N형 제1고농도 불순물충(7)을 형성한 공정을 제외하는 것을 특징으로 하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터 제조방법
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제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 N형 제1고농도 불순물층(7,25)을 트랜지스터 기둥(6)옆에 실리콘 기둥(23)을 형성하고, N형 제1불순물충(7,25)을 이 실리콘 기둥(23)에까지 확장하여 실리콘 기둥(23)도 상대적으로 고농도의 N형 불순물충으로 형성하는 공정을 부가하는 것을 특징으로 하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터 제조방법
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