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P형 반도체기판(1)상에 제1산화막(2)을 형성한 다음 세개의 트랜지스터 영역(4)을 정의하고, 그 주변의 제1산화막(2)을 비등방성 건식 식각한 후 산화막(2)과 실리콘과의 식각비를 이용하여 상기 P형 반도체기판(1)을 비등방성 건식 식각하여 실리콘영역(3)을 정의하고, 상기 트랜지스터 영역(4) 하단의 주변에 N형 제1고농도 불순물층(5)을 형성한 후 제2산화막(6)을 성장시키는 공정과, 다결정 실리콘(7)을 상기 실리콘영역(3)의 밑면부터 상기 제2산화막(6)상까지의 단차보다 상대적으로 더 두껍게 증착한 후, 다결정 실리콘(7)을 표면 연마하여 상기 트랜지스터영역(4) 주변의 식각된 부분에 다결정 실리콘(7)을 매립하고, 다시 다결정 실리콘을 비등방성 건식 식각하여 같이 베이스전극용 다결정 실리콘(8)을 형성하는 공정과, 트랜지스터영역(4)의 중간 부분에서 베이스 P형 다결정 실리콘층(8)과 전기적으로 접촉하기 위하여 상기 제1,2산화막(2,6)을 소정두께로 식각(9)한 후 다결정 실리콘(10)을 다시 증착하고, 베이스영역(8)을 정의하고, 다결정 실리콘(10) 표면을 산화시켜 제3산화막(11)을 형성하고, 베이스전극(12)을 형성하는 공정과, 상기 식각된 실리콘영역(3)에 베이스전극(12) 형성공정을 한 후, 상기 제3산화막(11) 및 베이스전극용 다결정 실리콘(8)을 순차로 식각하고 남은 부분에 절연층(13)을 채위서 표면을 평탄화시키는 공정과, 상기 트랜지스터 영역(4)에 불순물을 주입하여 p형 베이스 불순물층(14)과 N형 저농도 불순물층(15)을 형성한 후, 그 위에 N형 다결정 실리콘층(17)을 증착하여 트랜지스터와 접촉되는 영역과 도선으로 사용되는 영역은 고농도 N형 불순물을 주입하여 N형 제2고농도 불순물층(16)과 N형 다결성 실리콘(17)층을 형성시키며, 실리콘 다결정 저항체로 사용되는 영역은 불순물 주입양을 조절하여 실리콘 다결정 저항체를 제조하는 공정과, 금속선(18)을 베이스P형 다결정 실리콘(8)층, N형 다결정 실리콘(17)층 등 각각의 전극에 접촉시키는 공정을, 포함하는 저전력소자의 제조방법
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