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에미터재성장을이용한HBT소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074215
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단결정 박막ㆍ성장법을 사용한여 에미터를 재성장한 이종접합 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor)를 제조하는 방법에 관한 것으로, 갈륨비소 기판상에 콜렉터 접촉용 고농도 n형 불순물 에피택셜층과 콜렉터의 n형 불순물 에피택셜층 및 베이스의 P+형 불순물 에피택셜층을 차례로 형성하는 공정과, P+형 불순물 에픽택셜층상에 일면이 경사진 소정 패턴의 마스크층을 형성하는 공정과, 에피택셜층의 노출된 부분에 에미터의 재성장 영역을 형성하기 위해 에미터의 n형 불순물 에피택셜층과 에미터 접촉용 고농도 n형 불순물 에피택셜층을 차례로 형성한 다음 마스크층을 제거하는 공정과, 에피텍셜층상에 에미터 오믹전극을 형성하는 공정과, 에미터 오믹전극상과 에피택셜층의 노출된 부분에 베이스 오믹전극을 형성하는 공정과, 에피택셜층의 노출된 부분과 이 하부에 있는 에피택셜층을 차례로 제거한 다음 그 위에 콜렉터 오믹전극을 형성한 공정이다.
Int. CL H01L 29/80 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019920025001 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0097732-0000 (1996.04.02)
공개번호/일자 10-1994-0016953 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019960000384 (19960105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철순 대한민국 대전직할시유성구
2 조경익 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135727-08
2 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135723-15
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135725-17
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135726-52
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135724-61
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135728-43
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045131-56
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135729-99
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135731-81
10 의견서
Written Opinion		 1995.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135730-35
11 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045132-02
12 등록사정서
Decision to grant		 1996.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045134-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소 기판(101)상에 콜렉터 접촉용 고농도 n형 불순물 에피택셜층(102)과 콜렉터의 n형 불순물 에피택셜층(103) 및 베이스의 p+형 불순물 에피택셜층(104)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 p+형 불순물 에피택셜층(104)상에 일면이 경사진 소정 패턴의 마스크층(105)을 형성하는 공정과, 상기 에피택셜층(104)의 노출된 부분에 에미터의 재성장 영역을 형성하기 위해 에미터의 n형 불순물 에피택셜층(106)과 에미터접촉용 고농도 n형 불순물 에피택셜층(107)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 에피택셜층(107)상에 에미터오믹전극(108)을 형성한 다음 상기 마스크층(105)를 제거하는 공정과, 상기 에미터 오믹전극(108) 상과 상기 에피택셜층(104)의 베이스전극이 형성될 부분에 베이스 오믹전극(109)을 형성하는 공정과, 상기 에피택셜층(104)의 노출된 부분과 이 하부에 있는 상기 에피택셜층(103)을 차례로 제거한 다음 그 위에 콜렉터 오믹전극(110)을 형성하는 공정을 포함하는 에미터 재성장을 이용한 HBT 소자의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 마스크층(105)을 텅스텐, 몰리브덴, 텅스텐 합금 또는 몰리브덴 합금의 내열성 금속으로 형성하는 에미터 재성장을 이용한 HBT 소자의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 마스크층(105)을 질화규소막 또는 산화규소막의 절연막으로 형성하는 에미터 재성장을 이용한 HBT 소자의 제조방법

4 4

제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 마스크층(105)을 500~5000Å의 두께로 형성하는 에미터 재성장을 이용한 HBT 소자의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 마스크층(105)의 측면이 수직 구조인 에미터 재성장을 이용한 HBT 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.