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인듐 갈륨 비소층(1)/인듐 알루미늄 비소층(2)/인듐 갈륨 비소층(4)으로 이루어진 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 반절연성 또는 제1도전형의 인듐인 기판(7)상에 제1도전형의 인듐 갈륨 비소층(6), 제1도전형의 인듐 갈륨 비소층(5), 고농도 제2도전형의 인듐 갈륨 비소층(4), 50~70Å의 두께의 알루미늄 비소층(3), 제1도전형의 인듐 알루미늄 비소층(2) 및 고농도 제1도전형의 인듐 갈륨 비소층(1)을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 인듐 갈륨 비소층(1)의 상부에 에미터전극(8)을 형성하는 단계와, 상기 에미터전극(8)부터 인듐 일루미늄 비소층(2)까지 소정부분을 제외한 나머지 부분을 상기 알루미늄 비소층(3)이 노출되도록 식각하는 단계와, 상기 에미터전극(8)부터 인듐 알루미늄 비소층(2)까지 식각되지 않은 소정부분을 식각마스크로 하여 상기 알루미늄 비소층(3)의 노출된 부분을 상기 인듐 갈륨 비소층 (4)이 노출되도록 식각하는 단계와, 인듐 갈륨 비소층(4)의 노출된 부분에 베이스전극 (9)을 형성하는 단계와, 상기베이스전극(9)과 인듐 갈륨 비소층(4)의 소정부분을 상기 인듐 갈륨 비소층(5)이 노출되도록 식각하고 상기 노출된 인듐 갈륨 비소층(5)에 콜렉터전극(10)을 형성하는 단계와, 상기 콜렉터전극(10)부터 상기 인듐 갈륨 비소층(6)까지 소정부분을 제외한 나머지 부분을 상기 기판(7)이 노출되도록 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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