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액정디스플레이용박막트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074222
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 LCD용 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 유리 혹은 석영기판(10) 위에 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘 박막을 증착하고 결정화하여 다중채널을 갖는 활성층(20)을 형성하고, 게이트 산화막(30)을 형성한 후 이중 게이트전극을 만든 다음 불순물을 주입하여 소오스, 드레인(40)을 형성한 다음, 금속막 또는 투명전도막을 증착한 후 전극을 형성함으로써 이중게이트, 다중채널 구조를 갖는 N-채널 혹은 P-채널 박막 트랜지스터를 제조할 수 있는 것이다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1019920025019 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0095261-0000 (1996.02.05)
공개번호/일자 10-1994-0016941 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019950013796 (19951116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남기수 대한민국 대전직할시중구
2 백종태 대한민국 대전직할시유성구
3 송윤호 대한민국 대전직할시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135870-18
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135872-10
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135874-01
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135873-55
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135871-64
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135875-46
7 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135876-92
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135877-37
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045188-47
10 의견서
Written Opinion		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135879-28
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135878-83
12 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045189-93
13 등록사정서
Decision to grant		 1996.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045190-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

평판 디스플레이 장치의 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 기판(10) 위에 다결정 실리콘 박막(20)을 형성하는 공정과, 상기 다결정 실리콘 박막(20)의 양측이 연결되고 층간 부분이 이격되어 줄무늬 형상을 이루어 다중채널을 형성할 수 있는 활성영역(20a)을 정의 및 형성하는 공정과, 상기 활성영역(20a) 및 노출된 상기 기판의 표면위에 게이트 산화막(30)을 형성하는 공정과, 상기 활성영역(20a)상에 가로질러 서로 평행하고 일단이 접속된 두개의 게이트 전극(40)을 형성하는 공정과, 상기 활성영역(20a)에 불순물을 주입하여 소오스/드레인 영역(21)을 형성하는 공정과, 이어 산화막(50)을 증착한 다음 금속 또는 투명전도막을 증착하여 금속전극 또는 투명전극(60)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 박막(20)은 300Å 내지 2000Å의 두께로 형성되고, 상기 기판(10)상에 형성된 비정질 실리콘을 열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 산화막(30)은 300Å 내지 1500Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 불순물은 N-채널 박막 트랜지스터인 경우 As+와 P+중 어느 하나이고, P-채널 박막 트랜지스터인 경우 B+와 BF2중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 박막 트랜지스터의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극(40)은 다결정 실리콘과 실리사이드 및 금속막 중 어느 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 박막트랜지스터의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP07038118 JP 일본 FAMILY
2 KR1019960004903 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP7038118 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH0738118 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.