맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

자기정렬형반도체광스위치제조방법

  • 기술번호 : KST2015074321
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피성장, 홈모양의 선택식각, Zn확산, 전극증착 등에 의하여 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈모양의 식각과 InP와 InGaA의 확산계수의 차이에 의하여 Zn확산이 상대적으로 깊숙이 이루어져 전류주입이 집중되어지구 홈의 양 옆으로는 p/n/p/n 접합이 형성되어 전류주입이 차단되어진다.즉, p형 옴접촉 면적은 도파로폭 전체에 형성되어져 옴저항은 줄어들고 전류주입은 반사면이 형성된 홈 식각부분으로만 주입된다.
Int. CL H01L 29/8605 (2006.01) H01L 29/86 (2006.01)
CPC H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01)
출원번호/일자 1019930018145 (1993.09.09)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0116436-0000 (1997.06.16)
공개번호/일자 10-1995-0010143 (1995.04.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970004488 (19970328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.09.09)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오광룡 대한민국 대전직할시유성구
2 박기성 대한민국 대전직할시유성구
3 박종대 대한민국 대전직할시서구
4 김홍만 대한민국 대전직할시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095175-12
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095176-57
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095177-03
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.01 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095178-48
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095179-94
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0038898-15
7 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095180-30
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0038899-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 광스위치를 제조하는 방법에 있어서, n형 InP기판(1) 위에 에피택시법으로 광도파로층(2)과, n형 InP클래드층(3)과, 전류차단을 위한 p형 InP 블로킹층(4) 및, n형 InGaAs캡층(5)을 순차로 성장시키는 단계와, 반사면을 이루는 부분의 상기 캡층(5)을 홈모양으로 선택식각한 후 전면에 Zn을 확산시키는 단계와, 상기 반사면을 이루는 부분의 상기 캡층(5)의 상면에 p형 전극(6)을 증착하는 단계와, 상기 광도파로층(2) 위의 상기 캡층(5)과, 상기 블로킹층(4) 및, 클래드층(3)을 식각한 후 상기긱판(1)의 하면에 n형 전극(7)을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 반도체 광스위치 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 광도파로층(2)을 p-InGaAs로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 반도체 광스위치 제조방법

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02792826 JP 일본 FAMILY
2 JP07152052 JP 일본 FAMILY
3 KR1019970004495 KR 대한민국 FAMILY
4 US05581108 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2792826 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7152052 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH07152052 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5581108 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.