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자기정렬구조의반도체레이저제조방법

  • 기술번호 : KST2015074335
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 RWG반도체 레이저를 제작함에 있어서, 자기정렬 구조의 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 제조공정상 리지(ridge)의 폭을 최적조건으로 줄이기 어려운 문제점을 개선하기 위하여, 본 발명은 반도체 레이저 제작에 필요한 에피층들의 MOCVD(또는 LPE)에 의한 성장, 에칭에 의한, 1.5내지 2㎛폭의 리지도파로(ridge waveguide)구조형성, 자기정렬 구조형성 및 에칭된 채널부분의 평탄화를 위한 폴리이미드 코우팅 및 패턴형성, 건식식각에 의한 리지상단의 폴리이미드 제거, SiNx패시베이션, p형 오믹금속 리프트-오프, 웨이퍼 뒷면 연마 및 n형 오믹금속증착의 제조 공정단계를 제공함으로써, 미세 리소그라피 공정이 불필요하고, LD의 제반특성을 향상시킬 수 있고, 리지 상단 전면에 직렬기생저항을 줄일 수 있으며, p형 전극의 면적을 최소화하여 기생정전용량을 줄여 변조대역폭을 크게 할 수 있다.
Int. CL H01S 5/20 (2006.01)
CPC H01S 5/22(2013.01) H01S 5/22(2013.01) H01S 5/22(2013.01) H01S 5/22(2013.01)
출원번호/일자 1019930029080 (1993.12.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0115788-0000 (1997.05.30)
공개번호/일자 10-1995-0021912 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970003751 (19970321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박기성 대한민국 대전직할시유성구
2 김홍만 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145737-78
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145738-13
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145739-69
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145740-16
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145741-51
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0069256-40
7 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145742-07
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0069257-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

n-InP기판(11, 22)위에 n-InP버퍼층(12, 23), n-InGaAsP도파로층(13, 24 , 36), 도핑되지 않은 InGaAsP활성층(14, 25, 37), p-InGaAsP도파로층(15, 26, 38 ), p-InP클래드층(16, 27), 및 p-InGaAsP캡층(17, 28)을 순차적으로 형성시키는 공정(A)과, 상기 p-InGaAsP캡층(17) 및 상기 p-InP클래드층(16)을 에칭에 의해 리지 폭(w)이 1

2 2

제1항에 있어서, 상기 (B)공정후, 상기 에이퍼 전체상면에 소정 증착에 의해서 SiNx절연막(29)을 증착하고(공정(나)), 폴리이미드(30)를 코우팅 및 패턴을 형성한 후(공정(다)), 리지상단의 폴리이미드(30)를 건식식각하고(공정(라)), 이 위에 SiNx(또는 SiO2)절연막(31)을 패시베이션하고(공정(마)), 리프트-오프에 의한 상기 웨이퍼 윗면에 p형 오믹금속(32)을 증착하고, 웨이퍼 뒷면을 연마한 후 n형 오믹금속(33)을 증착하는 공정(바)이 부가되는 것을 특징으로 하는 자기정렬구조의 반도체 레이저 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 (라)공정과 (마)공정 사이에 제2차 건식식각에 의해 채널속에 남아있는 폴리이미드(30)를 완전히 제거하는 공정이 부가되는 것을 특징으로 하는 자기정렬구조의 반도체 레이저 제조방법

4 4

제1항, 2항 또는 3항중 어느 한항에 있어서, 상기 n형 InGaAsP도파로층(14, 25, 37), 하단에 회절격자를 넣어 분포귀환형 반도체 레이저(DBF LD) 또는 분포브레그 반사판 반도체 레이저를 제작할 수 있는 것을 특징으로 하는 자기정렬구조의 반도체 레이저 제조방법

5 5

제1항, 2항, 또는 3항중 어느 한항에 있어서, 1

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.