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조셉슨접합전계효과트랜지스터및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015074349
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaAs/AlGaAs 2차원 전자기체층을 조셉슨 접합부분으로 사용하고 AlGaAs층 위에 게이트를 부착시킴으로써, 소스와 드레인 사이의 초전도 전류(supercurrent)를 효과적으로 제어하는 조셉슨 FET(Field Effect Transistor)에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/80 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1019920020985 (1992.11.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0093264-0000 (1995.12.26)
공개번호/일자 10-1994-0012675 (1994.06.24) 문서열기
공고번호/일자 1019950011032 (19950927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.11.10)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성재 대한민국 서울특별시서초구
2 박경완 대한민국 대전직할시중구
3 박경호 대한민국 대전직할시중구
4 장순호 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1992.11.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0114542-11
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.11.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0114546-04
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.11.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0114545-58
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.11.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0114544-13
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.11.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0114543-67
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0114547-49
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0037566-60
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.05.25 수리 (Accepted) 1-1-1992-0114548-95
9 의견서
Written Opinion		 1995.05.25 수리 (Accepted) 1-1-1992-0114549-30
10 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0037567-16
11 등록사정서
Decision to grant		 1995.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0037568-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 반도체기판과, 상기 반도체기판의 상부의 소정 부분에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 버퍼층과, 상기 버퍼층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 버퍼층보다 에너지 밴드 갭이 큰 물질로 형성되어 계면에서 2차원 전자 기체가 생성되는 스페이서와, 상기 스페이서의 상부에 형성된 불순물이 도핑된 캐리어 소오스층과, 상기 캐리어 소오스층의 상부에 형성된 캡층과, 상기 캡층의 상부에 형성된 게이트전극과, 상기 버퍼층에서부터 캡층까지의 측면에 상기 2차원 전자 기체가 접촉되게 형성된 소오스 및 드레인전극을 포함하는 조셉슨 접합 전계효과 트랜지스터

2 2

제1항에 있어서, 상기 반도체기판이 GaAs이고, 상기 에너지 밴드 갭이 큰 물질과 작은 물질이 각각 AlGaAs와 GaAs인 조셉슨 접합 전계효과 트랜지스터

3 3

반절연성 반도체기판의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 버퍼층, 불순물이 도핑되지 않은 상기 버퍼층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질의 스페이서, 불순물이 도핑된 캐리어 소오스층과 불순물이 도핑되지 않은 캡층을 순차적으로 결정성장하는 공정과, 상기 캡층에서부터 버퍼층까지 상기 반도체기판의 노출되도록 메사식각하는 공정과, 상기 식각된 측면에 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 캡층의 상부에 게이트전극을 형성하는 공정을 구비하는 조셉슨 접합 전계효과 트랜지스터의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인전극을 Nb, Sn, In 및 YBaCuO를 포함하는 초전도물질로 형성된 조셉슨 접합 전계효과 트랜지스터

5 5

제3항에 있어서, 상기 결정성장을 분자선 에피택시법 또는 유기금속 화학기상 증착법으로 형성하는 조셉슨 접합 전계효과 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.