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공진터널링핫전자트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015074396
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공진 터널링 핫 전자 트랜지스터에 관한 것으로서, 양자 우물 구조로 이루어진 콜렉터 전위 장벽층을 사이에 두고 불순물이 도핑되지 않은 넓은 제1및 제2완충층의 도입으로 전압이 인가될 때, 층의 넓이가 좁은 콜렉터 전위 장벽층 뿐만 아니라 층의 넓이가 넓은 제1및 제2완충층의 에너지 밴드를 변화시키므로 콜렉터 전위 장벽층의 에너지 밴드의 경사가 급격하지 완만하게 되어 콜렉터 전위 장벽층을 이루는 양자우물 내의 양자속박 에너지 레벨(EQW)의 위치와 에너지 폭에 상대적으로 변화를 작게할 수 있다. 또한, 전류-전압 특성 곡선의 NDR영역이 고정되지 않고, 에미터, 베이스, 콜렉터 전압의 조합에 의해 조정될 수 있어, NDR특성을 갖는 전류-전압 곡선이 모양의 변형이 없이 자유로이 움직일 수 있고 이러한 NDR 영역의 선택의 자유도에 의해 회로 디자인에 있어 많은 자유도를 부과할 수 있다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01) H01L 29/737 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019940035155 (1994.12.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0170181-0000 (1998.10.14)
공개번호/일자 10-1996-0026940 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.19)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경옥 대한민국 대전직할시유성구
2 서호형 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158245-55
2 특허출원서
Patent Application		 1994.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158243-64
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158244-10
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.11.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158246-01
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158247-46
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158248-92
7 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0088207-48
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0088208-94
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.07.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158249-37
10 의견서
Written Opinion		 1998.07.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158250-84
11 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0088209-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

화합물 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 도전형의 콜렉터층과, 상기 콜렉터층 상부의 소정 부분에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 제1완충층과, 상기 제1완충층의 상부에 양자 우물 구조로 형성된 콜렉터 전위 장벽층과, 상기 콜렉터 전위 장벽층의 상부에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 제2완충층과, 상기 제2완충층의 상부에 형성된 콜렉터층과 동일한 도전형의 베이스층과, 상기 베이스층 상부의 소정 부분에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 에미터 장벽층과, 상기 에미터 장벽층의 상부에 형성된 상기 베이스층과 동일한 도전형의 에미터층을 포함하는 공진 터널링 핫 전자 트랜지스터

2 2

제1항에 있어서, 상기 콜렉터 전위 장벽층은 장벽층/우물층/장벽층의 샌드위치된 구조를 1주기로하여 1-3 주기로 형성된 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 트랜지스터

3 3

제1항에 있어서, 상기 베이스층과 에미터층 사이에 스페이서층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫 전자 트랜지스터

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03157098 JP 일본 FAMILY
2 JP08222723 JP 일본 FAMILY
3 US05773842 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP3157098 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP8222723 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH08222723 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5773842 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.