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티-게이트형성방법

  • 기술번호 : KST2015074444
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HEMT 소자제작에 있어서 사용되는 T-게이트 형성방법에 관한 것으로, 종래기술에서 전자빔에 의한 이중 노광을 사용할 경우 전자빔 리소그래피의 단점인 처리량에 치명적인 영향을 미치는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 MIBK : IPA = 1 : 1 현상액에서 60초 동안 PMMA현상을 한 후 섭씨 120도 열판에서 경화건조를 행하고 AZ5214E 레지스트(12)를 1.2um 도포한 후 연화건조(soft bake)를 120도에서 90초 동안 열판에서 행한 후, 250mW/㎠의 강도를 갖는 GCA I-라인 스텝퍼(11)로 0.2초 동안 노광한 후, 형상반전 건조를 위한 베이킹을 열판에서 2분 동안 수행한 후 강도 7.9mW/㎠를 갖는 밀착기(contact printer)에서 20초 동안 투광 노출을 행한 다음 MIF-255 : MIF-230 = 1 :1 의 현상액에서 65초 동안 수행한 후 게이트 금속막(5)을 1um 이하 원하는 두께 만큼 증착하고 리프트 오프 공정에 의해서 T-게이트를 형성하는 방법을 제공함으로써 T-게이트 헤드 부위의 단면적이 크게 되어 게이트 저항과 잡음을 최대한 줄일 수 있는 HEMT소자 제작이 가능하다.
Int. CL H01L 29/812 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1019940019489 (1994.08.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0141340-0000 (1998.03.19)
공개번호/일자 10-1996-0009233 (1996.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.08.08)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최상수 대한민국 대전직할시유성구
2 이진희 대한민국 대전직할시유성구
3 유형준 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088539-08
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088540-44
3 특허출원서
Patent Application		 1994.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088538-52
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088541-90
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088542-35
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0049853-64
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088543-81
8 의견서
Written Opinion		 1998.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088544-26
9 등록사정서
Decision to grant		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0049854-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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갈륨비소(1) 웨이퍼 위에 소정 두께의 전자빔 레지스트(2)를 도포한 뒤 소정 온도의 대류오븐에 연화건조하는 공정(A)과,

상기 (A)공정 위에 필드 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.