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제 1 소정 농도의 제 1 도전형 채널영역(A)을 갖춘 기판(1)과, 이 채널영역을 사이에 두고 상기 기판(1)상에 형성된 상기 제 1 도전형과 반대 도전형인 제 2 도전형의 소스 및 드레인 영역(7)과, 상기 채널영역 위에 형성된 게이트 절연막과, 이 게이트 절연막 위에 형성된 제 1 게이트 전극(4)을 구비하는 금속 산화물 반도체 소자에 있어서, 상기 제 1 게이트 전극(4)이 상기 소스 및 드레인 영역(7)과 근접하는 부분에는 제 2 게이트 전극(8)이 자기정렬법(Self-Align method)을 이용하여 홈형태로 형성되고, 상기 제 2 게이트 전극(8)이 상기 기판과 접하는 부분에는 게이트 산화막(9)이 형성되어 있으며, 이 게이트 산화막(9) 아래에는 상기 제 1 소정 농도와는 다른 제 2 소정 농도의 제 1 전도형 채널(B)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 자기정렬법을 이용한 홈형태에는 각진 형태나, 각이 없는 둥근형태 또는 임의의 다각형 등의 모양이 포함되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 소정 농도는 상기 제 2 소정 농도보다 더 낮고, 상기 제 1 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 소정 농도와 상기 제 2 소정 농도는 상기 기판의 농도보다 높으며, 상기 제 1 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 소정 농도는 상기 제 2 소정 농도보다 더 낮고, 상기 제 1 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 소정 농도와 상기 제 2 소정 농도는 상기 기판의 농도보다 높으며, 상기 제 1 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체 소자
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제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 채널영역(A) 아래에는 상기 제 2 소정 농도의 상기 제 1 도전형의 불순물이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체 소자
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홈구조의 금속 산화물 반도체 소자를 제조하는 방법으로서, 가) 제 1 도전형의 실리콘 기판(1) 상에 활성영역을 정의한 다음, 게이트 산화막(2)을 성장시키고 제 1 게이트 전극(4)을 패턴형성하는 단계
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