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냉각장치가보강된급속열처리장치

  • 기술번호 : KST2015074461
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 제조장치에 관한 것으로 특히 반도체소자 제조장치 중에서 급속열처리장치(RTP:Rapid Thermal Processing)에 냉각장치를 보강하여 더욱 빠른 냉각속도를 얻을 수 있도록 한 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치에 관한 것으로 반도체소자의 열처리 과정후 냉각단계에서 반도체 기판상에 결정함이 생성되는 문제점을 해소하기 위하여 안출된 본 발명에서는 열처리과정 후 더욱 빠른 냉각속도를 갖도록 하므로서 생성된 반도체의 결정결함(cystalline defects)을 줄일 수 있도록 한 것이다.이를 위하여 본 발명에서는 빠른 냉각속도를 얻기 위하여 반응관에 입력되는 가스라인에 별도의 냉각장치를 부착하여 반응(혹은 열처리)이 끝난 후 램프(1amp)가 꺼지고 냉각단계가 시작되면 냉각장치를 통과하여 충분히 냉각된 가스가 반도체 기판의 표면에 닿아 반도체 기판 표면을 매우 빠르게 냉각할 수 있도록 한 것이다.
Int. CL H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/67109(2013.01) H01L 21/67109(2013.01)
출원번호/일자 1019940010552 (1994.05.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0128025-0000 (1997.10.28)
공개번호/일자 10-1995-0034449 (1995.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (19980402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.05.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경수 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048752-90
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048753-35
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048754-81
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.07.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048755-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027453-00
6 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048756-72
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1997.05.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048757-17
8 의견서
Written Opinion		 1997.06.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048758-63
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.06.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048759-19
10 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048760-55
11 등록사정서
Decision to grant		 1997.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027454-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

장입되는 반도체 기판을 램프(11)에 의해 가열하거나 가스관을 통해 주입되는 캐리어 가스나 반응가스에 의해 가열 또는 냉각하기 위한 반응관(10)을 포함하여 반도체 제조공정시 급속열처리를 하는 장치에 있어서, 상기 반응관(l0)에 인입되어 이 반응관(l0)에 공급되는 가스가 냉각시 냉각매체와의 접촉면적이 최대로 확대되도록 가스를 통과시키는 용수철 형상의 가스관(30)과; 상기 가스관(30)이 통과되고 상기 공급되는 가스의 냉각을 위해 일측 하단 및 타측 하단에 각기 설치되어 냉각매체를 주입 및 배출시키기 위한 냉매입구 밸브(22) 및 냉매 출구 밸브(24)를 포함한 가스냉각장치(20)가 상기 반응관(10)에 부설된 것을 특징으로 하는 냉각장치가 보강된 급속열처리장치

2 2

제1항에 있어서, 반응관(10)에 연결되는 가스관(30)은 가스의 흐틈을 신속히 바꾸어줄 수 있도록 반응가스가 주입되는 제2가스관(32)과; 캐리어 가스나 비활성가스를 주입하는 제1가스관(31)으로 분리 설치됨을 특징으로 하는 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치

3 3

제2항에 있어서, 반응단계의 가스를 공급하는 제2가스관(32)은 가스냉각장치(20)를 통과하지 않도록하며, 냉각단계의 가스를 공급하는 제l가스관(31)은 가스냉각장치(20)를 통과하도록 구성됨을 특징으로 하는 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02886101 JP 일본 FAMILY
2 JP07321037 JP 일본 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2886101 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7321037 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH07321037 JP 일본 DOCDBFAMILY
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