| 요약 |
이종접합 측면 쌍극자 트랜지스터장치의 제조방법(Method for Manufacturing Heterojunction lateral Bipolar Transistor Device)실리콘산화막(11) 위에 얇게 형성된 n- 실리콘층(12)을 갖는 SOI 기판 위에 열산화에 의한 완전한 소자격리(13)를 하고, 실리콘산화막(14)을 형성하고, 에미터와 서브-컬렉터 부분인 n++영역(22)을 정의하고, n++영역(22)의 실리콘산화막(14)을 식각하며, 측벽 실리콘 질화막(15)을 형성하며, n++영역(16)을 형성하기 위해서 n형 불순물을 이온주입(17)하고, 열산화하여서 n++영역(16)에 실리콘산화막(18)을 형성하며, 베이스영역을 정의하고, 베이스영역의 측벽 실리콘질화막(15)을 완전히 제거하며, 실리콘질화막(15)의 제거로 노출된 실리콘층을 비등방적으로 식각하고 실리콘층이 노출되어 있는 베이스영역(111)에만 선택적으로 p형 실리콘-게르마늄(Si1-xGex)(112)을 성장시키고, p++층(115)을 실리콘-게르마늄층(112) 위에 성장시키며, p++층(115)에 열산화막(116)을 형성하며, 에미터 마스크(24)를 사용해서 에미터 부분을 정의해주고, 실리콘산화막(18)을 식각한 후, 노출된 에미터부분의 n++실리콘층(16a)을 습식식각하는 데, p형 실리콘-게르마늄(Si1-xGex)(112)층은 식각되지 않도록 선택적 습식식각법을 사용하며, n++다결정 실리콘층(120)을 화학증착법으로 형성하고, 에미터 마스크(24)를 다시 사용해서 다결정 실리콘층(120)을 정의하고 식각하며, 실리콘산화막(121)을 형성하고 열처리함으로써 주입된 불순물을 활성화시키고, 에미터와 베이스의 접합을 형성하며, 접촉부분(25)을 정의하고, 정의된 감광막을 마스크로 반응성 이온 식각하여 실리콘산화막(121,116,18)을 식각하고 감광막을 제거하며, 타이타늄을 형성하고 열처리하여 타이타늄 실리사이드(122)를 형성한다.이로써, 동작속도가 크게 향상될 수 있으며, 소자크기를 획기적으로 줄일 수 있어서, MOSFET 소자와 비슷한 수준의 높은 집적도를 얻을 수 있게 된다.
|
