게이트와 인접한 소스/드레인의 가장자리에 형성된 홈구조가 형성된 부분의 채널영역을 갖고, 상기 게이트의 아래의 영역에는 매몰채널이 형성되고 그리고 상기 소스/드레인과 인접한 영역에는 표면채널이 형성된 p형 금속-산화물-반도체 트랜지스터

제1항에 있어서, 상기 홈구조는 사각형, 다각형, 둥근형 중 하나인 p형 금속-산화물-반도체 트랜지스터

p형 금속-산화물-반도체 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 웰 형성 및 활성영역 공정이 완료된 n형 기판(1)의 표면에 카운터 도핑을 위한 p형의 실리콘층(15)을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막(2)으로서 규소산화막을 형성한 후, 다결정 규소막을 증착하고 게이트 형상(3)을 정의하는 공정과; 상기 게이트(3)의 주변에 얇은 산화막(4)을 형성한 후, 규소질화막을 증착하고 비등방적 반응성 이온식각으로 상기 게이트(3)의 양측면 위에 측벽(5)을 형성하는 공정과; 소스/드레인이 형성될 영역과 상기 게이트(3)의 표면 위에 열산화막(6)을 형성하는 공정과; 상기 게이트(3)의 상기 측벽(5)을 제거한 후, 표면이 노출된 상기 산화막(2)을 제거하는 공정과; 소스/드레인 가장자리에 표면이 노출된 상기 기판(1)을 건식식각법 혹은 습식식각법을 사용하여 일정깊이만큼 제거하여 홈을 형성하는 공정과; 상기 홈의 내부 표면 위에 게이트 절연막으로 사용될 규소산화막(7)을 고온로에서 열성장시키고 다결정 규소막을 증착한 다음 반응성 이온식각법으로 다결정 규소막을 식각하여 게이트(3)의 양측면에 측벽(8)을 형성한 후, 게이트전극을 형성할 때 다결정규소로 이루어지는 측벽(8)에도 전압이 인가되도록 접촉홀을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 금속-산화물-반도체 트랜지스터

제3항에 있어서, 상기 홈은 30nm에서 300nm 정도의 깊이로 형성되는 p형 금속-산화물-반도체 트랜지스터

제3항에 있어서, 상기 홈은 사각형, 다각형, 둥근형 중 하나의 형태로 형성되는 p형 금속-산화물-반도체 트랜지스터의 제조 방법