반절연성 화합물 반도체 기판(8)상에 완충층(7), 부콜렉터층(6), 콜렉터층(5), 베이스층(4), 베이스 불순물 확산 방지층(3), 에미터층(2), 에미터 보호층(1)을 순차적으로 성장시키는 공정과; 상기 에미터 보호층(1)상에 1차 감광막(9)을 도포하고 노광시킨후, 상온의 유전체 절연막(10)을 전면에 증착하고 2차 감광막(11)을 상기 유전체 절연막(10)상에 도포하는 공정과; 상기 2차 감광막(11)을 노광한 후 마스크로 하여 하층의 상기 유전체 절연막(10)을 등방성 식각하고 상기 1차 감광막(9)을 현상하되, 상기 2차 감광막(11)의 형상폭이 상기 1차 감광막(9)의 폭보다 넓게 형성하도록 노광량을 제어하는 공정과; 상기 2차 감광막(11)상에 에미터 전극(12)을 증착한 후, 리프트오프를 하고 플라즈마 화학 증착법을 이용하여 전면에 1차 유전박막(13)을 증착하는 공정과; 상기 에미터 전극(12)을 마스크로 하여 상기 1차 유전박막(13)을 반응성 이온 식각을 한 후, 전면에 2차 플라즈마 증착 절연막(14)을 증착하는 공정과; 상기 2차 플라즈마 증착 절연막(14)의 측벽만 남도록 반응성 이온식각을 하고, 식각된 상기 측벽 절연막(14)을 마스크로 하여 상기 베이스층(4)의 표면까지 수직하게 식각하고, 베이스 전극(15)을 증착하여 상기 에미터 전극(12) 및 상기 베이스 전극(15)을 자기정렬시키되, 상기 에미터 전극(12) 및 상기 베이스 전극(15)간의 간격을 T형 에미터의 처마길이와 상기 측벽 절연막(14)의 두께에 의해 결정하는 공정과; 베이스 메사식각을 하고 노출된 분에 콜렉터 전극(16)을 증착한 후 소자 분리 식각 또는 이온 주입에 의한 금속 배선 공정으로 이루어지는 T형 에미터를 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법