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초핑층을갖는이종접합바이폴라트랜지스터의에피기판구조

  • 기술번호 : KST2015074537
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄 갈륨비소의 불순물 초핑층(chopping layer)을 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에피기판 구조에 관한 것으로서, 종래의 갈륨비소의 반 절연성 기판(1) 위에 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2), 저농도로 도핑된 갈륨비소의 콜렉터층(3), 갈륨비소의 베이스층(4), 알루미늄 갈륨비소의 에미터층(5) 및 갈륨비소의 캡층(6)을 순차로 형성한 에피기판 구조에서 상기 갈륨비소의 반절연성 기판(1)과 상기 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2) 사이에 누설전류를 제거하기 위한 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초격자층(7)을 삽입하고, 상기 갈륨비소의 베이스층(4) 대신에 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초핑층(8)을 삽입하므로써 고주파 특성을 좋게하고, 누설전류의 원인이되고 있는 탄소오염 경계면의 효과를 차폐하므로서 고효율의 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 29/73 (2006.01)
CPC H01L 29/157(2013.01) H01L 29/157(2013.01)
출원번호/일자 1019940010640 (1994.05.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0141339-0000 (1998.03.19)
공개번호/일자 10-1995-0034821 (1995.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.05.16)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재진 대한민국 대전직할시유성구
2 이해권 대한민국 대전직할시유성구
3 김경수 대한민국 대전직할시서구
4 박형무 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.05.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049235-75
2 특허출원서
Patent Application		 1994.05.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049233-84
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.05.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049234-29
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049236-10
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049237-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027700-83
7 의견서
Written Opinion		 1998.02.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049239-57
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.02.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049238-12
9 등록사정서
Decision to grant		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027701-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

갈륨비소의 반 절연성 기판(1)위에 실리콘 또는 베릴륨이 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 클렉터층(2), 실리콘 또는 베릴륨이 상기 서브콜렉층(2)보다 상대적으로 저농도로 도핑된 갈륨비소의 콜렉터층(3), 갈륨비소의 베이스층(4)을 형성하고, 이 위에 알루미늄 갈륨비소의 에미터층(5)과 갈륨비소의 캡충(6)을 각각 순차적으로 형성한 이종접합 바이폴라 트랜지스터 에피기판의 구조에 있어서, 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초격자층(7)이 상기 갈륨비소의 반절연성 기판(1)과 상기 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브콜렉터층(2) 사이에 에피택셜 성장시 누설전류를 방지하기 위한 경계면이 되도록 삽입하여 부가되고, 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초핑층(8)이 상기 갈륨비소의 베이스층(4) 대신에 베이스가 되도록 베릴륨 또는 실리콘을 도핑한 갈륨비소층 30Å과 도핑하지 않은 알루미늄 갈륨비소층 20Å을 교대로 20주기 이하로 분자선 에피택시 장비에 의하여 순차적으로 형성되어 부가되는 것을 특징으로 하는 초핑층을 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에피기판 구조

2 2

제 1항에 있어서, 상기 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초격자층(7)은 도핑하지 않은 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 50Å이하의 교대로 하는 5주기 내지 50주기를 갖는 것을 특징으로 하는 불순물 초핑층을 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에피기판 구조

3 3

제 1항에 있어서, 상기 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초핑층(8)은 알루미늄 갈륨비소 층의 조성비를 이 초핑층(8)에서 상기 알루미늄 갈륨비소의 에미터층(5)의 방향으로 변화시킨 것을 특징으로 하는 초핑층을 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에피기판 구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.