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차동논리회로

  • 기술번호 : KST2015074551
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 전류형 차동 논리회로는 전류원, 두개의 NMOS 회로 및 부하로 구성된다.두 개의 NMOS 회로 중 하나는 일반적인 스태틱 CMOS 논리회로의 NMOS 부분과 동일하며, 다른 하나는 일반적인 스태틱 CMOS 논리회로의 PMOS를 동일한 기능을 갖도록 NMOS로 대치한 것이다.부하는 저항 혹은 PMOS 등으로 구성되며 논리신호는 차동신호이다. 전류형 차동 논리회로에서는 VDD 전원에서 Vss로 전류원에 의한 일정한 전류가 흐르기 때문에 출력단의 상태 변화시 전류 스파이크가 종래의 회로에 비해 매우 개선된다.
Int. CL H03K 19/00 (2006.01)
CPC H03K 19/018528(2013.01) H03K 19/018528(2013.01)
출원번호/일자 1019940036368 (1994.12.23)
출원인 주식회사 케이티, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0135012-0000 (1998.01.09)
공개번호/일자 10-1996-0027315 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박세훈 대한민국 대구직할시북구
2 채상훈 대한민국 대전직할시유성구
3 송원철 대한민국 대전직할시유성구
4 이인열 대한민국 서울특별시관악구
5 김원찬 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164034-14
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164035-60
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164033-79
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164036-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091117-19
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164037-51
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164039-42
8 의견서
Written Opinion		 1997.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164038-07
9 등록사정서
Decision to grant		 1997.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091118-54
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소정의 전압(VDD)을 공급하는 제 1 전원과 ; 상기 제 1 전원에 연결되는 제 1부하와 ; 상기 소정의 전압(VDD)보다 낮은 전압(VSS)을 공급하는 제 2 전원과 ; 상기 제 2 전원에 연결되는 정전류원과 ; 상기 제 1 부하와 상기 정전류원 사이에 연결되고, 상호간에 직렬로 연결되는 제 1 내지 제 n의 NMOS 트랜지스터들을 갖되, 상기 NMOS 트랜지스터들 각각은 입력단을 하나씩 갖는 제 1NMOS 회로와 ; 상기 제 1부하와 병렬로 상기 제 1 전원에 연결되는 제 2 부하와 ; 상기 제 2 부하와 상기 정전류원 사이에 연결되고, 상호간에 병렬로 연결되는 제 n+1 내지 제 2n의 NMOS 트랜지스터들을 갖되, 상기 제 n+1 내지 제 2n의 NMOS 트랜지스터들 각각은 상기 제 1 내지 제 n의 NMOS 트랜지스터들의 상기 입력단들의 극성과 반대의 극성을 갖는 입력단을 하나씩 갖는 제2 NMOS 회로를 포함하는 차동 논리회로

2 2

제 1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 n의 NMOS 트랜지스터들 각각은 정(+) 극성의 입력단을 갖고, 상기 제 n+1 내지 제 2n의 NMOS 트랜지스터들 각각은 부(-)극성의 입력단을 갖는 차동 논리회로

3 3

제 1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 n의 NMOS 트랜지스터들 각각은 부(-)극성의 입력단을 갖고, 상기 제 n+1 내지 제 2n의 NMOS 트랜지스터들 각각은 정(+)극성의 입력단을 갖는 차동 논리회로

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.