이종접합 구조의 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 제조하는 방법에 있어서, 반절연성 GaAs기판(20) 위에 완층층(1), 고농도의n형 GaAs부컬렉터층(2)을 차례로 형성하고, 그 부컬렉터층(3) 위에 컬렉터층의 메사식각 선택층으로서 GaInP층(7)을 성장시키는 공정; 그 GaInP층(7) 위에 저농도의 n형 GaAs 컬렉터층(3) 및 p형 GaAs베이스층(4)을 형성하고 그 베이스층(4) 위에 에미터층과 에미터캡층의 메사식각 선택층으로서 GaInP층(8)을 성장하는 공정; 그 GaInP층(8)의 위에 n형 AlGaAs 에미터층(5), 에미터캡층(6)을 성장시키고, 위에 에미터 전극금속(9)을 형성한 후 상기 GaInP층(8) 표면까지 에미터캡층(6) 및 에미터층(5)을 식각하는 공정; 베이스 전극형성을 위한 패턴을 만들고 상기 GaInP층(8)을 선택적 식각하여 표면재결합 방지를 위한 GaInP 가드-링(10)을 형성한 후, 베이스 전극 금속(11)을 형성하고, 상기 GaInP층(7) 표면까지 상기 베이스층(4) 및 상기 컬렉터층(3)을 식각하는 공정; 상기 GaInP(7)의 표면상에 컬렉터 전극금속(12)을 형성한 후 소자분리 메사식각을 하고 금속배선 공정을 통하여 패드금속 및 수동소자등의 제작공정을 수행하여 소자제작을 완료하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 이종접합 비이폴라 트랜지스터 제조방법

제1항에 있어서, 상기 에미터 메사식각 선택층으로 이용하기 위한 상기 GaInP(8)은, 40-60nm 두께로 성장하고, 상기 GaInP 가드-링 형성공정에서 베이스 전극을 위한 리소그라피 공정을 통하여 패턴을 만들고, 염산(HCL/인산(H3PO4) 혼합용액으로 식각하여 상기 GaAs베이스층(4)은 손상되지 않고 GaInP층(8)만을 선택적 식각하여 외부 베이스에서의 표면재결합 전류발생을 방지할 수 있는 두께의 GaInP 가드-링(10)을 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법

제1항 또는 제2항중 어느한 항에 있어서, 상기 컬렉터 메사식각 선택층으로 이용하기 위한 상기 GaInP(7)은, 그 GaInP(7)의 상면에 콜렉터 전극을 형성하였을 때 트랜지스터의 전기적 특성에 영향을 미치지 않도록 2-3mm 두께로 성장하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법

제1항에 있어서, 상기 GaInP(7),(8)을 각기 식각 저지층으로 이용하여 상기 에미터캡층, 에미터층을 식각하는 공정 및 상기 베이스층 및 컬렉터층을 식각하는 공정은, 높은 식각 선택비를 가지고 GaInP 식각 저지층의 표면상에서 정확히 식각이 멈출수 있도록 황산((H2SO4)/과산화수소(H2O2)/순수(D