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이종접합 구조의 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 제조하는 방법에 있어서, 반절연성 GaAs기판(20)위에 완충층(1), 부컬렉터층(2), 컬렉터층(3), 베이스층(4), 에미터층(5) 및 에미터 캡층(6)을 차례로 형성하고, 그 에미터 캡층(6)위에 소정 패턴의 에미터 금속전극(7)을 형성하는 공정과; 그 에미터 금속전극(7)을 마스크로 상기 에미터 캡층(6)과 에미터층(5)을 식각하되, 상기 베이스층(4)의 표면에 상기 에미터층(5)의 일부가 남아 베이스층(4)이 노출되지 않도록 식각하는 공정과; 상기 식각 공정 이후의 기판 전면에 유전체 절연막을 증착하여 상기 에미터 금속전극(7), 에미터 캡층(6) 및 에미터층(5)의 측면을 둘러싸는 1차 측벽(8)을 형성하는 공정과; 상기 베이스층(4)의 표면에 남아있는 상기 에미터층(5)을 식각하여 베이스층(4)을 노출시킨 후, 전면에 폴리이미드를 도포하고 이미다이징 열처리를 한 후, 소정 패턴으로 식각하여 상기 1차 측벽(8)을 둘러싸는 2차 측벽(9)을 형성하는 공정과; 상기 2중 측벽막에 의해 보호되는 영역을 제외한 영역에 붕소나 산소 이온을 컬렉터층(3)까지 영향을 받도록 이온 주입 공정과; 상기 이온 주입 후 상기 2차 측벽(9)을 제거하고, 그 2차 측벽(9)이 제거된 영역인 이온주입에 의해 손상되지 않은 영역을 포함하는 영역에, 상기 1차 측벽(8)에 의해 에미터에 대해 자기정렬 되는 소정 패턴의 베이스 전극금속(10)을 형성하는 공정과; 이후, 베이스 메사식각, 컬렉터금속(11) 형성, 오믹 열처리 후 완충층(1) 아래까지 소자분리 메사식각을 하여 소자를 제작하는 공정; 을 수행하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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