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이종접합바이폴라트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074555
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 베이스층으로서 갈륨비소(GaAs)와 에미터층으로서 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)를 사용하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT)의 제작방법에 관한 것으로서, 이제까지 외부 베이스 영역에서의 표면 재결합 전류의 발생을 억제하기 위하여 주로 사용되어 온 얇은 알루미늄 갈륨비소층을 베이스층 위에 잔류시키는 일종의 베이스 보호대(guard-ring)제작방식을 지양하고, 노출된 외부 베이스 상에 전자 사이클로트론 공명(Electron Cyclotron Resonance : ECR)플라즈마에 의해 황(S)원소를 매우 얇게 증착하고 연이어 고진공 중에서 다시 ECR-CVD방식으로 실리콘 질화막을 전면에 증착하여 외부 베이스를 보호하면서 동시에 금속간 절연막으로서 이용하는 제작방식을 고안하여 통상적인 방법보다 효율적으로 고성능의 HBT소자를 제작할 수 있는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019940036378 (1994.12.23)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0148037-0000 (1998.05.21)
공개번호/일자 10-1996-0026422 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.23)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164112-88
2 특허출원서
Patent Application		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164111-32
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164113-23
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164114-79
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164115-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091150-16
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.03.06 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164117-16
8 의견서
Written Opinion		 1998.03.06 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164116-60
9 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091151-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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AlGaAs 에미터층과 GaAs 베이스층의 이종접합구조를 이용한 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 제조방법에 있어서, 에미터 전극을 형성한 후, 메사식각에 의해 노출된 에미터 전극 외부의 베이스 영역에 ECR 플라즈마에 의해 유황층을 1차적으로 증착하고, 이어서 고진공 중에서 ECR방식에 의해 실리콘 질화막을 전면에 2차적으로 형성함으로써, 통상적인 HBT 제조방법시 GaAs 베이스 표면상에 많이 발생하는 표면재결합 전류의 발생을 효율적으로 억제하여 HBT 소자의 성능향상이 가능토록 한 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.